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1. (WO2019066814) PROCÉDÉ DE LIAISON UTILISANT DES RÉACTIONS ENTRE DES MONOCOUCHES
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N° de publication : WO/2019/066814 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053787
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
B32B 7/10 (2006.01) ,B32B 7/02 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
7
Produits stratifiés caractérisés par la relation entre les couches, c. à d. produits comprenant essentiellement des couches ayant des propriétés physiques différentes, ou produits caractérisés par la jonction entre couches
04
caractérisés par la liaison entre couches
10
une des couches ou les deux ayant des propriétés adhésives ou réagissant les unes sur les autres
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
7
Produits stratifiés caractérisés par la relation entre les couches, c. à d. produits comprenant essentiellement des couches ayant des propriétés physiques différentes, ou produits caractérisés par la jonction entre couches
02
en ce qui concerne les propriétés physiques, p.ex. la dureté
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
STRONG, Veronica; US
ALEKSOV, Aleksandar; US
MAESTRE CARO, Aranzazu; US
ELSHERBINI, Adel; US
Mandataire :
MILLER, Dermot G.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) BONDING PROCESS USING REACTIONS BETWEEN MONOLAYERS
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON UTILISANT DES RÉACTIONS ENTRE DES MONOCOUCHES
Abrégé :
(EN) Techniques and mechanisms for bonding layers of a substrate using a monolayer of a compound. In an embodiment, a first monolayer of first molecules is disposed on one of a dielectric layer and a metallization layer, wherein a second monolayer of second molecules is disposed on another dielectric layer. An addition reaction between the first monolayer and the second monolayer produces a first adduct which forms a third monolayer to bond respective surface portions with each other. In another embodiment, a third monolayer of third molecules is disposed on one of the dielectric layer and the metallization layer, wherein a fourth monolayer of fourth molecules is also disposed on the other dielectric layer. A second addition reaction between the third monolayer and the fourth monolayer produces a second adduct which forms another monolayer to further bond respective surface portions with each other.
(FR) L'invention concerne des techniques et des mécanismes pour lier des couches d'un substrat à l'aide d'une monocouche d'un composé. Dans un mode de réalisation, une première monocouche de premières molécules est disposée sur une couche parmi une couche diélectrique et une couche de métallisation, une deuxième monocouche de troisièmes molécules étant disposée sur une autre couche diélectrique. Une réaction d'addition entre la première monocouche et la deuxième monocouche produit un premier adduit qui forme une troisième monocouche pour lier des parties de surface respectives les unes aux autres. Dans un autre mode de réalisation, une troisième monocouche de troisièmes molécules est disposée sur une couche parmi la couche diélectrique et la couche de métallisation, une quatrième monocouche de quatrièmes molécules étant également disposée sur l'autre couche diélectrique. Une seconde réaction d'addition entre la troisième monocouche et la quatrième monocouche produit un second adduit qui forme une autre monocouche pour lier davantage les parties de surface respectives les unes aux autres.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)