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1. (WO2019066813) PROCÉDÉ, DISPOSITIF ET SYSTÈME POUR FOURNIR DES STRUCTURES DE MÉTALLISATION GRAVÉES
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N° de publication : WO/2019/066813 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053786
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
ECTON, Jeremy; US
HAEHN, Nicholas; US
OJEDA, Oscar; US
ROY, Arnab; US
WHITE, Timothy; US
NAD, Suddhasattwa; US
WANG, Hsin-Wei; US
Mandataire :
MILLER, Dermot G.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD, DEVICE AND SYSTEM FOR PROVIDING ETCHED METALLIZATION STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉ, DISPOSITIF ET SYSTÈME POUR FOURNIR DES STRUCTURES DE MÉTALLISATION GRAVÉES
Abrégé :
(EN) Techniques and mechanisms for providing anisotropic etching of a metallization layer of a substrate. In an embodiment, the metallization layer includes grains of a conductor, wherein a first average grain size and a second average grain size correspond, respectively, to a first sub-layer and a second sub-layer of the metallization layer. The first sub-layer and the second sub-layer each span at least 5% of a thickness of the metallization layer. A difference between the first average grain size and the second average grain size is at least 10% of the first average grain size. In another embodiment, a first condition of metallization processing contributes to grains of the first sub-layer being relatively large, wherein an alternative condition of metallization processing contributes to grains of the second sub-layer being relatively small. A grain size gradient across a thickness of the metallization layer facilitates etching processes being anisotropic.
(FR) L'invention concerne des techniques et des mécanismes pour fournir une gravure anisotrope d'une couche de métallisation d'un substrat. Dans un mode de réalisation, la couche de métallisation comprend des grains d'un conducteur, une première taille de grain moyenne et une seconde taille de grain moyenne correspondant respectivement à une première sous-couche et à une seconde sous-couche de la couche de métallisation. La première sous-couche et la seconde sous-couche couvrent chacune au moins 5 % d'une épaisseur de la couche de métallisation. Une différence entre la première taille moyenne de grain et la seconde taille moyenne de grain est d'au moins 10 % de la première taille moyenne de grain. Dans un autre mode de réalisation, une première condition de traitement de métallisation contribue à des grains de la première sous-couche relativement grande, une condition alternative de traitement de métallisation contribuant à des grains de la seconde sous-couche étant relativement petits. Un gradient de taille de grain sur une épaisseur de la couche de métallisation facilite les processus de gravure qui sont anisotropes.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)