Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019066802) SONDAGE DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS PERMETTANT UN DÉBOGAGE DE PUCE ET UNE ISOLATION DE DÉFAUT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/066802 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053704
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
G01R 31/305 (2006.01) ,H01J 37/26 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
28
Essai de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
302
Essais sans contact
305
utilisant des faisceaux électroniques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
26
Microscopes électroniques ou ioniques; Tubes à diffraction d'électrons ou d'ions
Déposants :
TONG, Xianghong [US/US]; US
MA, Zhiyong [US/US]; US
CHUANG, Wen-Hsien [US/US]; US
RYU, Hyuk Ju [KR/US]; US
WANG, Yunfei [CN/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
TONG, Xianghong; US
MA, Zhiyong; US
CHUANG, Wen-Hsien; US
RYU, Hyuk Ju; US
WANG, Yunfei; US
Mandataire :
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
ROJO, Estiven; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTRON BEAM PROBING FOR CHIP DEBUG AND FAULT ISOLATION
(FR) SONDAGE DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS PERMETTANT UN DÉBOGAGE DE PUCE ET UNE ISOLATION DE DÉFAUT
Abrégé :
(EN) Apparatuses and methodologies for electron beam probing for chip debug and fault isolation are described. In an example, a method of electron-beam signal image mapping (ESIM) includes, scanning an electron beam over an area on a chip containing an integrated circuit structure, toggling a gate electrode of the integrated circuit structure at a frequency, amplifying a secondary electron signal and sending the amplified secondary electron signal to a lock-in amplifier or spectrum analyzer tuned to the frequency, feeding an output of the lock-in amplifier or spectrum analyzer into a scan control unit that rasters over the area, and illuminating a portion of the integrated circuit structure with the electron beam to modulate the secondary electron signal.
(FR) L'invention concerne des appareils et des méthodologies de sondage de faisceau d'électrons permettant un débogage de puce et une isolation de défaut. Dans un exemple, un procédé de mappage d'image de signal de faisceau d'électrons (ESIM) consiste à balayer un faisceau d'électrons sur une zone sur une puce contenant une structure de circuit intégré, à basculer une électrode de grille de la structure de circuit intégré à une fréquence, à amplifier un signal d'électrons secondaires et à envoyer le signal d'électrons secondaires amplifié à un amplificateur de verrouillage ou à un analyseur de spectre accordé à la fréquence, à introduire une sortie de l'amplificateur de verrouillage ou de l'analyseur de spectre dans une unité de commande de balayage qui balaye la zone, et à éclairer une partie de la structure de circuit intégré avec le faisceau d'électrons afin de moduler le signal d'électrons secondaires.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)