Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019066785) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS DU GROUPE III-V AYANT DES ÉLECTRODES DE GRILLE À DOUBLE TRAVAIL D'EXTRACTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/066785 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053542
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 26.09.2017
CIB :
H01L 29/423 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Déposants :
MA, Sean T. [US/US]; US
RACHMADY, Willy [ID/US]; US
DEWEY, Gilbert [US/US]; US
HUANG, Cheng-Ying; US
BASU, Dipanjan [IN/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MA, Sean T.; US
RACHMADY, Willy; US
DEWEY, Gilbert; US
HUANG, Cheng-Ying; US
BASU, Dipanjan; US
Mandataire :
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
ROJO, Estiven; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING DUAL WORKFUNCTION GATE ELECTRODES
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS DU GROUPE III-V AYANT DES ÉLECTRODES DE GRILLE À DOUBLE TRAVAIL D'EXTRACTION
Abrégé :
(EN) Group III-V semiconductor devices having dual workfunction gate electrodes and their methods of fabrication are described. In an example, an integrated circuit structure includes a gallium arsenide layer on a substrate. A channel structure is on the gallium arsenide layer. The channel structure includes indium, gallium and arsenic. A source structure is at a first end of the channel structure and a drain structure is at a second end of the channel structure. A gate structure is over the channel structure, the gate structure having a first workfunction material laterally adjacent a second workfunction material. The second workfunction material has a different workfunction than the first workfunction material.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs du groupe III-V ayant des électrodes de grille à double travail d'extraction et leurs procédés de fabrication. Dans un exemple, une structure de circuit intégré comprend une couche d’arséniure de gallium sur un substrat. Une structure de canal est sur la couche d'arséniure de gallium. La structure de canal comprend de l'indium, du gallium et de l'arsenic. Une structure source se trouve à une première extrémité de la structure de canal et une structure de drain se trouve à une seconde extrémité de la structure de canal. Une structure de grille est sur la structure de canal, la structure de grille ayant un premier matériau à travail d'extraction latéralement adjacent à un second matériau à travail d'extraction. Le second matériau à travail d'extraction présente un travail d'extraction différent de celui du premier matériau à travail d'extraction.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)