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1. (WO2019066765) CONDENSATEURS NON PLANS À RAPPORT DE FORME ÉLEVÉ FORMÉS PAR REMPLISSAGE DE CAVITÉ
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N° de publication : WO/2019/066765 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053347
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 26.09.2017
CIB :
H01L 49/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à film mince ou à film épais
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
THEN, Han Wui; US
Mandataire :
HARTMANN, Natalya; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH ASPECT RATIO NON-PLANAR CAPACITORS FORMED VIA CAVITY FILL
(FR) CONDENSATEURS NON PLANS À RAPPORT DE FORME ÉLEVÉ FORMÉS PAR REMPLISSAGE DE CAVITÉ
Abrégé :
(EN) A method for forming non-planar capacitors of desired dimensions is disclosed. The method is based on providing a three-dimensional structure of a first material over a substrate, enclosing the structure with a second material that is sufficiently etch-selective with respect to the first material, and then performing a wet etch to remove most of the first material but not the second material, thus forming a cavity within the second material. Shape and dimensions of the cavity are comparable to those desired for the final non-planar capacitor. At least one electrode of a capacitor may then be formed within the cavity. Using the etch selectivity of the first and second materials advantageously allows applying wet etch techniques for forming high aspect ratio openings in fabricating non-planar capacitors, which is easier and more reliable than relying on dry etch techniques.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de condensateurs non plans de dimensions souhaitées. Le procédé consiste à utiliser une structure tridimensionnelle d'un premier matériau sur un substrat, à enfermer la structure avec un second matériau qui est suffisamment sélectif à la gravure par rapport au premier matériau, puis à effectuer une gravure humide pour éliminer la majeure partie du premier matériau mais pas le second matériau, formant ainsi une cavité à l'intérieur du second matériau. La forme et les dimensions de la cavité sont comparables à celles souhaitées du condensateur non plan final. Au moins une électrode d'un condensateur peut ensuite être formée à l'intérieur de la cavité. L'utilisation de la sélectivité à la gravure des premier et second matériaux permet d'appliquer avantageusement des techniques de gravure humide pour former des ouvertures à rapport de forme élevé lors de la fabrication de condensateurs non plans, ce qui est plus facile et plus fiable que de compter sur des techniques de gravure sèche.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)