Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019066729) DISPOSITIFS À MÉMOIRE RÉSISTIVE BASÉS SUR DES LIGANDS À ACTIVITÉ REDOX COORDONNÉS À UN MÉTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/066729 N° de la demande internationale : PCT/SG2018/050497
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 01.10.2018
CIB :
C07F 15/00 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01) ,H01L 27/28 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
15
Composés contenant des éléments du 8ème groupe de la classification périodique
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
Déposants :
NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE [SG/SG]; 21 Lower Kent Ridge Road, Singapore 119077, SG
INDIAN ASSOCIATION FOR THE CULTIVATION OF SCIENCE [IN/IN]; 2A & 2B Raja S C Mullick Road, Jadavpur, West Bengal, Kolkata 700032, IN
Inventeurs :
THIRUMALAI, Venkatesan; SG
GOSWAMI, Sreetosh; SG
PATRA, Abhijeet; SG
GOSWAMI, Sreebrata; IN
Mandataire :
KINNAIRD, James Welsh; SG
Données relatives à la priorité :
20171103479129.09.2017IN
Titre (EN) RESISTIVE MEMORY DEVICES BASED ON METAL COORDINATED REDOX ACTIVE LIGANDS
(FR) DISPOSITIFS À MÉMOIRE RÉSISTIVE BASÉS SUR DES LIGANDS À ACTIVITÉ REDOX COORDONNÉS À UN MÉTAL
Abrégé :
(EN) Disclosed herein is a compound of formula (I): [M(L)n]m+ (Ay-)z (I) wherein M represents Ru, Fe, Co, Rh, Ir, Ni, Os, Cr, Cu or Mn; A represents an anionic group having a charge y, wherein y is 1 to 4, m is 1 to 4, n is 2 to 6, z is 1 to 4, and L is a ligand selected from the ligand of formula (ll)-(VII). In preferred embodiments, ligand L is 2-(phenylazo)pyridine or 2,6-bis(phenylazo))pyridine. The compound of formula (I) can be used in the formation of a resistive memory device, which is based on the low potential redox-states of metal complexes of redox active ligands. Also disclosed herein are methods of manufacturing such devices and their uses.
(FR) L'invention concerne un composé de formule (I) : [M(L)n]m+ (Ay-)z (I) dans laquelle m représente Ru, Fe, Co, Rh, Ir, Ni, Os, Cr, Cu ou Mn ; A représente un groupe anionique ayant une charge y, y étant de 1 à 4, m étant de 1 à 4, n étant de 2 à 6, z étant de 1 à 4, et L étant un ligand choisi parmi le ligand de formule (ll)- (VII). Selon des modes de réalisation préférés de la présente invention, le ligand L est 2-(phénylazo)pyridine ou 2,6-bis(phénylazo)pyridine. Le composé de formule (I) peut être utilisé dans la formation d'un dispositif à mémoire résistive, basé sur des états redox à faible potentiel de complexes métalliques de ligands à activité redox. La présente invention concerne également des procédés de fabrication de tels dispositifs et leurs utilisations.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)