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1. (WO2019066648) CELLULES SOLAIRES À CONTACTS TRANSPARENTS À BASE D’OXYDE DE POLYSILICIUM
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N° de publication : WO/2019/066648 N° de la demande internationale : PCT/NL2018/050631
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 24.09.2018
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01) ,H01L 31/074 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0236
Textures de surface particulières
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
074
comprenant une hétérojonction avec un élément du groupe IV du système périodique, p.ex. cellules solaires en ITO/Si, GaAs/Si ou CdTe/Si
Déposants :
TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT [NL/NL]; Stevinweg 1 2628 CN Delft, NL
Inventeurs :
ISABELLA, Olindo; NL
PROCEL MOYA, Paul Alejandro; NL
ZEMAN, Miroslav; NL
Mandataire :
VOGELS, Leonard Johan Paul; Weteringschans 96 1017 XS Amsterdam, NL
Données relatives à la priorité :
201963427.09.2017NL
Titre (EN) TITLE: SOLAR CELLS WITH TRANSPARENT CONTACTS BASED ON POLY-SILICON-OXIDE
(FR) CELLULES SOLAIRES À CONTACTS TRANSPARENTS À BASE D’OXYDE DE POLYSILICIUM
Abrégé :
(EN) The present invention is in the field of a process for making solar cells, or photovoltaic (PV) cell, with transparent contacts based on poly-silicon-oxide, and solar cells with transparent contacts based on poly-silicon-oxide. Said solar cells comprise at least one hetero junction and typically two hetero junctions. The solar cell may be considered as a high temperature silicon oxide hetero junction (HT-SOHO) solar cell.
(FR) La présente invention se rapporte au champ technique d’un processus de fabrication de cellules solaires, ou cellule photovoltaïque (PV), pourvues de contacts transparents à base d’oxyde de polysilicium, et à des cellules solaires à contacts transparents à base d’oxyde de polysilicium. Lesdites cellules solaires comprennent au moins une hétérojonction et généralement deux hétérojonctions. La cellule solaire peut être considérée comme une cellule solaire à hétérojonction d’oxyde de silicium à haute température (HT-SOHO).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)