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1. (WO2019066580) COMPOSÉ CHALCOGÈNE, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE LE COMPRENANT
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N° de publication : WO/2019/066580 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/011567
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2018
CIB :
C30B 29/46 (2006.01) ,C30B 33/02 (2006.01) ,H01L 35/14 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
46
Composés contenant du soufre, du sélénium ou du tellure
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
02
Traitement thermique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14
utilisant des compositions inorganiques
Déposants :
주식회사 엘지화학 LG CHEM, LTD. [KR/KR]; 서울시 영등포구 여의대로 128 128, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul 07336, KR
Inventeurs :
김민경 KIM, Min Kyoung; KR
민유호 MIN, Yu Ho; KR
박철희 PARK, Cheol Hee; KR
고경문 KO, Kyung Moon; KR
박치성 PARK, Chee Sung; KR
정명진 JUNG, Myung Jin; KR
Mandataire :
유미특허법인 YOU ME PATENT AND LAW FIRM; 서울시 강남구 테헤란로 115 115 Teheran-ro Gangnam-gu Seoul 06134, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-012818029.09.2017KR
10-2018-011532527.09.2018KR
Titre (EN) CHALCOGEN COMPOUND, METHOD FOR PREPARING SAME, AND THERMOELECTRIC ELEMENT COMPRISING SAME
(FR) COMPOSÉ CHALCOGÈNE, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE LE COMPRENANT
(KO) 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 열전소자
Abrégé :
(EN) The present invention provides: a novel chalcogen compound of chemical formula 1 below, showing an excellent thermoelectric figure of merit (ZT) through increased output factor and reduced thermal conductivity; a method for preparing the same; and a thermoelectric element comprising the same. [Chemical formula 1] MyV1-ySnxSb2Tex+3 wherein V represents vacancy, M represents an alkali metal, x≥6, and 0
(FR) La présente invention concerne : un nouveau composé chalcogène de formule chimique 1 ci-dessous, montrant un excellent facteur de mérite thermoélectrique (ZT) par un facteur de sortie accru et une conductivité thermique réduite; un procédé de préparation de celui-ci; et un élément thermoélectrique le comprenant. [Formule chimique 1] MyV1-ySnxSb2Tex+3, dans laquelle V représente une lacune, M Représente un métal alcalin, x≥6, et 0
(KO) 본 발명에서는 출력인자 증가 및 열전도도 감소를 통해 우수한 열전 성능지수 (ZT)를 나타내는, 하기 화학식 1의 신규 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자가 제공된다: [화학식 1] MyV1-ySnxSb2Tex+3 상기 화학식 1에서, V는 공공 (Vacancy)이고, M은 알칼리 금속이며, x ≥6, 0
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)