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1. (WO2019066491) MODULE ÉLECTROLUMINESCENT ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPORTANT
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N° de publication : WO/2019/066491 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/011425
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2018
CIB :
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
Déposants :
서울반도체 주식회사 SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 안산시 단원구 산단로163번길 97-11 97-11, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15429, KR
Inventeurs :
이정훈 LEE, Chung Hoon; KR
손성수 SON, Seong Su; KR
이종익 LEE, Jong Ik; KR
임재희 LIM, Jae Hee; KR
타케야모토노부 TAKEYA, Motonobu; KR
홍승식 HONG, Seung Sik; KR
Mandataire :
이기성 LEE, Ki Sung; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-012713329.09.2017KR
10-2017-015766923.11.2017KR
10-2018-011367921.09.2018KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE HAVING SAME
(FR) MODULE ÉLECTROLUMINESCENT ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPORTANT
(KO) 발광 소자 및 그것을 갖는 표시 장치
Abrégé :
(EN) A light emitting device according to one embodiment comprises: a first light emitting cell, a second light emitting cell, and a third light emitting cell, each of which includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; pads electrically connected to the first to third light emitting cells so as to independently drive the first to third light emitting cells; a second wavelength converter for converting a wavelength of light emitted from the second light emitting cell; and a third wavelength converter for converting a wavelength of light emitted from the third light emitting cell, wherein the third wavelength converter converts the wavelength of light to a wavelength longer than that of the second wavelength converter, the second light emitting cell has a larger area than that of the first light emitting cell, and the third light emitting cell has a larger area than that of the second light emitting cell.
(FR) Selon un mode de réalisation, un dispositif électroluminescent comprend : une première cellule électroluminescente, une deuxième cellule électroluminescente et une troisième cellule électroluminescente, chacune comprenant une première couche semi-conductrice conductrice, une couche active et une seconde couche semi-conductrice conductrice; des pastilles électriquement connectées aux première à troisième cellules électroluminescentes, de façon à activer indépendamment les première à troisième cellules électroluminescentes; un convertisseur de deuxième longueur d'onde, permettant de convertir une longueur d'onde de lumière émise par la deuxième cellule électroluminescente; et un convertisseur de troisième longueur d'onde, permettant de convertir une longueur d'onde de lumière émise par la troisième cellule électroluminescente, le convertisseur de troisième longueur d'onde convertissant la longueur d'onde de la lumière à une longueur d'onde plus longue que celle du convertisseur de deuxième longueur d'onde, la deuxième cellule électroluminescente ayant une surface plus grande que celle de la première cellule électroluminescente et la troisième cellule électroluminescente ayant une surface plus grande que celle de la deuxième cellule électroluminescente.
(KO) 일 실시예에 따른 발광 소자는, 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 제1 발광셀, 제2 발광셀 및 제3 발광셀; 제1 내지 제3 발광셀들을 독립적으로 구동할 수 있도록 제1 내지 제3 발광셀들에 전기적으로 접속된 패드들; 제2 발광셀에서 방출된 광의 파장을 변환하는 제2 파장변환기; 및 제3 발광셀에서 방출된 광의 파장을 변환하는 제3 파장변환기를 포함하되, 제3 파장변환기는 제2 파장변환기보다 더 장파장으로 광의 파장을 변환하고, 제2 발광셀은 제1 발광셀보다 더 큰 면적을 가지며, 제3 발광셀은 제2 발광셀보다 더 큰 면적을 가진다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)