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1. (WO2019066354) DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2019/066354 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/010984
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 18.09.2018
CIB :
H01L 35/32 (2006.01) ,H01L 35/04 (2006.01) ,H01L 35/02 (2006.01) ,H01L 35/14 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
28
fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck
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caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermo-couple constituant le dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
Détails
04
Détails structurels de la jonction; Connexions des fils
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
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Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14
utilisant des compositions inorganiques
Déposants :
엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 중구 후암로 98 98, Huam-ro Jung-gu Seoul 04637, KR
Inventeurs :
진희열 JIN, Hee Yol; KR
김종현 KIM, Jong Hyun; KR
양태수 YANG, Tae Su; KR
유영삼 YOO, Young Sam; KR
이구 LEE, Gu; KR
이윤교 LEE, Youn Gyo; KR
전계수 JUN, Kye Soo; KR
Mandataire :
특허법인 다나 DANA PATENT LAW FIRM; 서울시 강남구 역삼로3길 11 광성빌딩 신관4~6층 4~6th Floor, New Wing, Gwangsung Bldg. 11, Yeoksam-ro 3-gil Gangnam-gu Seoul 06242, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-012437326.09.2017KR
10-2017-013385216.10.2017KR
Titre (EN) THERMOELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE
(KO) 열전 소자
Abrégé :
(EN) A thermoelectric device according to one embodiment of the present invention comprises: a first substrate; a plurality of P-type thermoelectric legs and a plurality of N-type thermoelectric legs alternately disposed on the first substrate; a second substrate disposed on the plurality of P-type thermoelectric legs and the plurality of N-type thermoelectric legs; a plurality of first electrodes disposed between the first substrate and the plurality of P-type thermoelectric legs and the plurality of N-type thermoelectric legs, and respectively having a P-type thermoelectric leg and N-type thermoelectric leg pair disposed therein; and a plurality of second electrodes disposed between the second substrate and the plurality of P-type thermoelectric legs and the plurality of N-type thermoelectric legs, and respectively having a P-type thermoelectric leg and N-type thermoelectric leg pair disposed therein, wherein a P-type solder layer and N-type solder layer pair and a barrier layer disposed between the P-type solder layer and N-type solder layer pair are disposed on each of the plurality of first electrodes, and a P-type solder layer and N-type solder layer pair and a barrier layer disposed between the P-type solder layer and N-type solder layer pair are disposed on each of the plurality of second electrodes.
(FR) Un dispositif thermoélectrique selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un premier substrat ; une pluralité de pattes thermoélectriques de type P et une pluralité de pattes thermoélectriques de type N disposées en alternance sur le premier substrat ; un second substrat disposé sur la pluralité de pattes thermoélectriques de type P et la pluralité de pattes thermoélectriques de type N ; une pluralité de premières électrodes disposées entre le premier substrat et la pluralité de pattes thermoélectriques de type P et la pluralité de pattes thermoélectriques de type N, et ayant respectivement une paire de pattes thermoélectriques de type P et de type N disposées à l'intérieur de celles-ci ; et une pluralité de secondes électrodes disposées entre le second substrat et la pluralité de pattes thermoélectriques de type P et la pluralité de pattes thermoélectriques de type N, et ayant respectivement une paire de pattes thermoélectriques de type P et de type N disposées à l'intérieur de celles-ci, une couche de soudure de type P et une paire de couches de soudure de type N et une couche barrière disposée entre la couche de soudure de type P et la paire de couches de soudure de type N étant disposées sur chacune de la pluralité de premières électrodes, et une couche de soudure de type P et une paire de couches de soudure de type N et une couche barrière disposée entre la couche de soudure de type P et la paire de couches de soudure de type N sont disposées sur chacune de la pluralité de secondes électrodes.
(KO) 본 발명의 한 실시예에 따른 열전 소자는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 교대로 배치되는 복수의 P형 열전 레그 및 복수의 N형 열전 레그, 상기 복수의 P형 열전 레그 및 상기 복수의 N형 열전 레그 상에 배치되는 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 복수의 P형 열전 레그 및 상기 복수의 N형 열전 레그 사이에 배치되며, 각각에 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그가 배치되는 복수의 제1 전극, 그리고 상기 제2 기판과 상기 복수의 P형 열전 레그 및 상기 복수의 N형 열전 레그 사이에 배치되며, 각각에 한 쌍의 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그가 배치되는 복수의 제2 전극을 포함하며, 상기 복수의 제1 전극 각각 상에는 한 쌍의 P형 솔더층 및 N형 솔더층, 그리고 상기 한 쌍의 P형 솔더층 및 N형 솔더층 사이에 배치된 격벽층이 배치되고, 상기 복수의 제2 전극 각각 상에는 한 쌍의 P형 솔더층 및 N형 솔더층, 그리고 상기 한 쌍의 P형 솔더층 및 N형 솔더층 사이에 배치된 격벽층이 배치된다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)