(EN) The present invention relates to a vapor deposition compound capable of thin film deposition through vapor deposition and, specifically, to nickel and cobalt precursors capable of being applied to atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD) and having excellent thermal stability and reactivity, and to a preparing method therefor.
(FR) La présente invention porte sur un composé de dépôt en phase vapeur approprié pour un dépôt de film mince par dépôt en phase vapeur et, plus précisément, sur des précurseurs de nickel et de cobalt pouvant être appliqués à un dépôt de couche atomique (ALD) ou à un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et présentant une excellente stabilité thermique et une excellente réactivité, ainsi que sur un procédé de préparation correspondant.
(KO) 본 발명은 기상 증착을 통하여 박막 증착이 가능한 기상 증착 화합물에 관한 것으로서, 구체적으로는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD) 또는 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)에 적용가능하고 열적 안정성 및 반응성이 우수한 니켈 및 코발트 전구체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.