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1. (WO2019066163) CAPTEUR À BASE DE NITRURE DE GALLIUM POSSÉDANT UNE STRUCTURE PHOTOSTIMULABLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/066163 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/001993
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 19.02.2018
CIB :
G01N 27/12 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02
en recherchant l'impédance
04
en recherchant la résistance
12
d'un corps solide dépendant de l'absorption d'un fluide; d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
Déposants :
(재)한국나노기술원 KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER [KR/KR]; 경기도 수원시 영통구 광교로 109 (이의동) (lui-dong) 109, Gwanggyo-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16229, KR
Inventeurs :
박경호 PARK, Kyungho; KR
조주영 CHO, Chuyoung; KR
박형호 PARK, Hyeong Ho; KR
고유민 KOH, Yu Min; KR
Mandataire :
이준성 LEE, Joon Sung; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-012425026.09.2017KR
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED SENSOR HAVING PHOTOSTIMULATABLE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CAPTEUR À BASE DE NITRURE DE GALLIUM POSSÉDANT UNE STRUCTURE PHOTOSTIMULABLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a gallium nitride-based sensor having a photostimulatable structure and a manufacturing method therefor. The method comprises the steps of: growing an LED epitaxial layer on a substrate; growing a high-resistance (HR)-GaN layer on the LED epitaxial layer; sequentially growing one selected from the group consisting of a u-GaN layer and AlxGa1-xN layer and an InxAl1-xN layer and InxAlyGa1-x-yN layer on the HR-GaN layer; performing a patterning process to allow the formation of an electrode on the LED epitaxial layer; forming an electrode according to the pattern established on the LED epitaxial layer; and forming a sensing material layer on the one layer selected from the group consisting of the AlxGa1-xN layer, the InxAl1-xN layer, and the InxAlyGa1-x-yN layer.
(FR) La présente invention concerne un capteur à base de nitrure de gallium possédant une structure photostimulable et son procédé de fabrication. Le procédé comprend les étapes consistant à : faire croître une couche épitaxiale de DEL sur un substrat ; faire croître une couche de (HR)-GaN à haute résistance sur la couche épitaxiale de DEL ; faire croître successivement une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de u-GaN et d'une couche de AlxGa1-xN, et d'une couche de InxAl1-xN et d'une couche de InxAlyGa1-x-yN sur la couche de HR-GaN ; mettre en œuvre un procédé de formation de motif pour permettre la formation d'une électrode sur la couche épitaxiale de DEL ; former une électrode selon le motif dessiné sur la couche épitaxiale de DEL ; et former une couche d'un matériau de détection sur ladite couche, sélectionnée dans le groupe constitué de la couche d'AlxGa1-xN, la couche de InxAl1-xN et la couche de InxAlyGa1-x-yN.
(KO) 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법으로, 기판에 LED 에피층을 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층 상에 HR(High-resistance)-GaN 층을 성장시키는 단계와; 상기 HR-GaN 층 상에 u-GaN 층 및 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계와; 상기 LED 에피층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계와; 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계를 포함한다.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)