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1. (WO2019066145) CAPTEUR À BASE DE NITRURE DE GALLIUM POSSÉDANT UNE STRUCTURE CHAUFFANTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/066145 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/014506
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 12.12.2017
CIB :
G01N 27/12 (2006.01) ,G01N 27/14 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02
en recherchant l'impédance
04
en recherchant la résistance
12
d'un corps solide dépendant de l'absorption d'un fluide; d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02
en recherchant l'impédance
04
en recherchant la résistance
14
d'un corps chauffé électriquement dépendant de variations de température
Déposants :
KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER [KR/KR]; (lui-dong) 109, Gwanggyo-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16229, KR
Inventeurs :
PARK, Kyungho; KR
CHO, Chuyoung; KR
PARK, Hyeong Ho; KR
KOH, Yu Min; KR
Mandataire :
LEE, Joon Sung; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-012425126.09.2017KR
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED SENSOR HAVING HEATER STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) CAPTEUR À BASE DE NITRURE DE GALLIUM POSSÉDANT UNE STRUCTURE CHAUFFANTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A gallium nitride-based sensor having a heater structure and a method of manufacturing the same are disclosed, the method including growing an n-type or p-type GaN layer on a substrate, growing a barrier layer on the n-type or p-type GaN layer, sequentially growing a u-GaN layer and a layer selected from among an AlxGa1-xN layer, an InxAl1-xN layer and an InxAlyGa1-x-yN layer on the barrier layer, patterning the n-type or p-type GaN layer to form an electrode, forming the electrode along the pattern formed on the n-type or p-type GaN layer, and forming a sensing material layer on the layer selected from among the AlxGa1-xN layer, the InxAl1-xN layer and the InxAlyGa1-x-yN layer, wherein a HEMT sensor or a Schottky diode sensor can be heated using an n-GaN (or p-GaN) layer, thus increasing the sensitivity of the sensor and reducing the restoration time.
(FR) L'invention concerne un capteur à base de nitrure de gallium possédant une structure chauffante et son procédé de fabrication, le procédé comprenant les étapes consistant à faire croître une couche de GaN de type n ou de type p sur un substrat, à faire croître une couche barrière sur la couche de GaN de type n ou de type p, à faire croître séquentiellement une couche d'u-GaN et une couche sélectionnée parmi une couche d'AlxGa1-xN, une couche d'InxAl1-xN et une couche d'InxAlyGa1-x-yN sur la couche barrière, à former un motif sur la couche de GaN de type n ou de type p pour former une électrode, à former l'électrode le long du motif formé sur la couche de GaN de type n ou de type p, et à former une couche de matériau de détection sur la couche sélectionnée parmi la couche d'AlxGa1-xN, la couche d'InxAl1-xN et la couche d'InxAlyGa1-x-yN, un capteur HEMT ou un capteur à diode Schottky pouvant être chauffé à l'aide d'une couche de n-GaN (ou p-GaN), ce qui permet d'augmenter la sensibilité du capteur et de réduire le temps de restauration.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)