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1. (WO2019066033) ÉLÉMENT DE DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
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N° de publication : WO/2019/066033 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/036464
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2018
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,C04B 35/505 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
50
à base de composés de terres rares
505
à base d'oxyde d'yttrium
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants :
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
Inventeurs :
田中 万平 TANAKA, Manpei; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18788628.09.2017JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE MEMBER AND PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置用部材およびプラズマ処理装置
Abrégé :
(EN) This plasma processing device member comprises an yttrium oxide sintered body containing 98% by mass or more of yttrium oxide and having a plurality of open pores. When L1 is the mean value of the distance between the centroids of the open pores that are adjacent to one another, L1 is 50 μm or longer. In addition, this plasma processing device comprises a plasma processing device member and a plasma generator.
(FR) L'invention concerne un élément de dispositif de traitement au plasma comprenant un corps fritté d'oxyde d'yttrium contenant au moins 98 % en masse d'oxyde d'yttrium et ayant une pluralité de pores ouverts. Lorsque L1 est la valeur moyenne de la distance entre les centroïdes des pores ouverts qui sont adjacents les uns aux autres, L1 est d'au moins 50 µm. De plus, ce dispositif de traitement au plasma comprend un élément de dispositif de traitement au plasma et un générateur de plasma.
(JA) 本開示のプラズマ処理装置用部材は、酸化イットリウムを98質量%以上含有し、複数の開気孔を有する酸化イットリウム質焼結体からなるプラズマ処理装置用部材であって、隣り合う前記開気孔の重心間距離の平均値をL1としたとき、前記L1は50μm以上である。また本開示のプラズマ処理装置は、プラズマ処理装置用部材と、プラズマ発生装置とを備えている。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)