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1. (WO2019066005) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE
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N° de publication : WO/2019/066005 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/036374
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2018
CIB :
H05B 33/10 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/04 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
10
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources de lumière électroluminescentes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
02
Détails
04
Dispositions pour l'étanchéité
Déposants :
住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区新川二丁目27番1号 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
味の素株式会社 AJINOMOTO CO., INC. [JP/JP]; 東京都中央区京橋一丁目15番1号 15-1, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048315, JP
Inventeurs :
下河原 匡哉 SHIMOGAWARA Masaya; JP
森島 進一 MORISHIMA Shinichi; JP
藤井 貴志 FUJII Takashi; JP
増山 学 MASUYAMA Manabu; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18831928.09.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE
(JA) 有機電子デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing an organic electronic device according to an embodiment is provided with: a device base material forming step for forming a device base material 40 in which a first electrode 42, a device function part 43 including an organic layer, and a second electrode 44 are sequentially provided on a substrate 41; a dehydration step for dehydrating a protective film-attached sealing member 10 in which a protective film 30 is laminated through an adhesive layer on a sealing member 20 having an adhesive layer 22 laminated on a sealing base material 21; and a sealing member bonding step for peeling the protective film from the protective film-attached sealing member that has undergone the dehydration step, and bonding the sealing member to the device base material via the adhesive layer, wherein the peel strength of the adhesive layer to the protective film in the film-attached sealing member is 0.06-0.3 N/20mm.
(FR) Un procédé de fabrication d'un dispositif électronique organique selon un mode de réalisation comprend : une étape de formation de matériau de base de dispositif permettant de former un matériau de base de dispositif 40 dans lequel une première électrode 42, une partie de fonction de dispositif 43 comprenant une couche organique, et une seconde électrode 44 sont disposées séquentiellement sur un substrat 41 ; une étape de déshydratation permettant de déshydrater un élément d'étanchéité fixé à un film de protection 10 dans lequel un film de protection 30 est stratifié par le biais d'une couche adhésive sur un élément d'étanchéité 20 ayant une couche adhésive 22 stratifiée sur un matériau de base d'étanchéité 21 ; et une étape de liaison d'élément d'étanchéité permettant de peler le film de protection à partir de l'élément d'étanchéité fixé à un film de protection qui a subi l'étape de déshydratation, et de lier l'élément d'étanchéité au matériau de base de dispositif par l'intermédiaire de la couche adhésive, la résistance au pelage de la couche adhésive au film de protection dans l'élément d'étanchéité fixé à un film étant de 0,06 à 0,3 N/20 mm.
(JA) 一実施形態に係る有機電子デバイスの製造方法は、基板41上に第1電極42と、有機層を含むデバイス機能部43と、第2電極44とが順に設けられたデバイス基材40を形成するデバイス基材形成工程と、封止基材21に接着層22が積層された封止部材20に接着層を介して保護フィルム30が積層された保護フィルム付き封止部材10を脱水する脱水工程と、脱水工程を経た保護フィルム付き封止部材から保護フィルムを剥離して、接着層を介して封止部材をデバイス基材に貼合する封止部材貼合工程と、を備え、脱保護フィルム付き封止部材における保護フィルムに対する接着層の剥離強度が0.06N/20mm~0.3N/20mmである。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)