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1. (WO2019066000) COMPOSITION POUR LITHOGRAPHIE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET COMPOSÉ
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N° de publication : WO/2019/066000 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/036344
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2018
CIB :
G03F 7/004 (2006.01) ,C07F 11/00 (2006.01) ,G03F 7/029 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
11
Composés contenant des éléments du 6ème groupe de la classification périodique
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
027
Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques
028
avec des substances accroissant la photosensibilité, p.ex. photo-initiateurs
029
Composés inorganiques; Composés d'onium; Composés organiques contenant des hétéro-atomes autres que l'oxygène, l'azote ou le soufre
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
Déposants :
学校法人関西大学 THE SCHOOL CORPORATION KANSAI UNIVERSITY [JP/JP]; 大阪府吹田市山手町3丁目3番35号 3-3-35, Yamate-cho, Suita-shi, Osaka 5648680, JP
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
Inventeurs :
工藤 宏人 KUDO, Hiroto; JP
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi; JP
佐藤 隆 SATO, Takashi; JP
Mandataire :
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi; JP
内藤 和彦 NAITO, Kazuhiko; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18934029.09.2017JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY, PATTERN FORMATION METHOD AND COMPOUND
(FR) COMPOSITION POUR LITHOGRAPHIE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET COMPOSÉ
(JA) リソグラフィー用組成物、パターン形成方法、及び化合物
Abrégé :
(EN) A composition for lithography which comprises a compound represented by formula (1). [LxTe(OR1)y] (1) [wherein: L represents a ligand other than OR1; R1 represents a hydrogen atom, an optionally substituted linear alkyl group having 1-20 carbon atoms, an optionally substituted branched or cyclic alkyl group having 3-20 carbon atoms, an optionally substituted aryl group having 6-20 carbon atoms, or an optionally substituted alkenyl group having 2-20 carbon atoms; x is an integer of 0-6; and y is an integer of 0-6, provided that x+y is 1-6, and when x is 2 or more, L's may be the same or different, and when y is 2 or more, R1's may be the same or different].
(FR) L'invention concerne une composition pour lithographie qui comprend un composé représenté par la formule (1). [LxTe(OR1)y] (1) [dans la formule : L représente un ligand autre que OR1 ; R1 représente un atome d'hydrogène, un groupe alkyle linéaire éventuellement substitué ayant de 1 à 20 atomes de carbone, un groupe alkyle ramifié ou cyclique éventuellement substitué ayant de 3 à 20 atomes de carbone, un groupe aryle éventuellement substitué ayant de 6 à 20 atomes de carbone, ou un groupe alcényle éventuellement substitué ayant de 2 à 20 atomes de carbone ; x est un nombre entier compris entre 0 et 6 ; et y est un nombre entier compris entre 0 et 6, à condition que x + y soit compris entre 1 et 6, et que lorsque x est supérieur ou égal à 2, L puisse être identique ou différent, et que lorsque y est supérieur ou égal à 2, R1 puisse être identique ou différent].
(JA) 下記式(1)で表わされる化合物を含有するリソグラフィー用組成物。 [LTe(OR] (1) (上記式(1)中、Lは、OR以外の配位子であり、Rは、水素原子、置換又は無置換の炭素数1~20の直鎖状又は炭素数3~20の分岐状若しくは環状のアルキル基、置換又は無置換の炭素数6~20のアリール基、及び置換又は無置換の炭素数2~20のアルケニル基のいずれかであり、xは、0~6の整数であり、yは、0~6の整数であり、xとyの合計は、1~6であり、xが2以上である場合、複数のLは同一でも異なっていてもよく、yが2以上である場合、複数のRは同一でも異なっていてもよい。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)