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1. (WO2019065965) PÂTE ÉLECTROCONDUCTRICE
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N° de publication : WO/2019/065965 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/036253
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2018
CIB :
H01B 1/22 (2006.01) ,H01B 1/00 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01) ,H05K 1/09 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1
Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
20
Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur
22
le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1
Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288
à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1
Circuits imprimés
02
Détails
09
Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
Déposants :
ハリマ化成株式会社 HARIMA CHEMICALS, INC. [JP/JP]; 兵庫県加古川市野口町水足671番地の4 671-4, Mizuashi, Noguchi-cho, Kakogawa-shi, Hyogo 6750019, JP
Inventeurs :
中城 治之 NAKAJO Haruyuki; JP
上田 雅行 UEDA Masayuki; JP
中谷 誠登 NAKATANI Makoto; JP
細谷 一雄 HOSOYA Kazuo; JP
彌永 美樹 IYANAGA Miki; JP
Mandataire :
特許業務法人パテントボックス PATENTBOX IP LAW FIRM; 東京都千代田区岩本町2丁目19番9号 丸栄ビル 6F MARUEI Bldg 6th fl., 2-19-9, Iwamotocho, Chiyoda-ku Tokyo 1010032, JP
Données relatives à la priorité :
2017-19211429.09.2017JP
2017-19211529.09.2017JP
Titre (EN) ELECTROCONDUCTIVE PASTE
(FR) PÂTE ÉLECTROCONDUCTRICE
(JA) 導電性ペースト
Abrégé :
(EN) An electroconductive paste is provided that has high bondability even to a substrate that has low bondability to silver. An electroconductive paste according to one embodiment of the present invention contains: silver particles that, as a first average particle diameter, have an average particle diameter within the range of 1-500 nm; one or more metals selected from the group comprising aluminum, titanium, vanadium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, zirconium, niobium, molybdenum, hafnium, tantalum, tungsten, indium, tin, gallium, germanium, and bismuth; and an amine compound, the substance amount of the amine compound being equal to or greater than the substance amount of the metal.
(FR) L'invention concerne une pâte électroconductrice qui présente une capacité de liaison élevée même à un substrat qui a une capacité de liaison faible à l'argent. Une pâte électroconductrice selon un mode de réalisation de la présente invention contient : des particules d'argent qui, en tant que premier diamètre de particule moyen, ont un diamètre moyen de particule dans la plage de 1 à 500 nm ; un ou plusieurs métaux choisis dans le groupe comprenant l'aluminium, le titane, le vanadium, le chrome, le manganèse, le fer, le cobalt, le nickel, le cuivre, le zinc, le zirconium, le niobium, le molybdène, l'hafnium, le tantale, le tungstène, l'indium, l'étain, le gallium, le germanium, et le bismuth ; et un composé amine, la quantité de substance du composé amine étant supérieure ou égale à la quantité de substance du métal.
(JA) 銀に対して接合性が低い基材に対しても高い接合性を有する導電性ペーストを提供する。本発明の一実施形態に係る導電性ペーストは、第1の平均粒子径として平均粒子径が1~500nmの範囲内にある銀粒子と、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、インジウム、スズ、ガリウム、ゲルマニウム及びビスマスの群から選択される1つ又は2つ以上の金属と、アミン化合物と、を含み、前記アミン化合物の物質量が、前記金属の物質量以上である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)