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1. (WO2019065863) MULTIPLEXEUR, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
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N° de publication : WO/2019/065863 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/036005
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2018
CIB :
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 7/48 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01) ,H03H 9/72 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
125
Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines
145
pour réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
7
Réseaux à plusieurs accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs
48
Réseaux pour connecter plusieurs sources ou charges, fonctionnant sur la même fréquence ou dans la même bande de fréquence, à une charge ou à une source commune
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
64
utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
70
Réseaux à plusieurs accès pour connecter plusieurs sources ou charges, fonctionnant sur des fréquences ou dans des bandes de fréquence différentes, à une charge ou à une source commune
72
Réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
大門 克也 DAIMON, Katsuya; JP
Mandataire :
吉川 修一 YOSHIKAWA, Shuichi; JP
傍島 正朗 SOBAJIMA, Masaaki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-19216229.09.2017JP
Titre (EN) MULTIPLEXER, HIGH-FREQUENCY FRONT-END CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) MULTIPLEXEUR, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
Abrégé :
(EN) According to the present invention, a first filter (11) of a multiplexer (1) has a ladder filter structure that is configured from a plurality of series resonators (111s–114s) and a plurality of parallel resonators (111p–113p). The resonators (111s–114s, 111p–113p) are elastic wave resonators that have an IDT electrode that is configured from a pair of comb-like electrodes. The IDT electrode of the series resonator (111s) that, of the series resonators (111s–114s), is closest to a common terminal and/or the IDT electrode of the parallel resonator (111p) that is closest to the common terminal is/are larger than the IDT electrodes of the remaining resonators (112s–114s, 112p, 113p) with respect to the weight of a portion that has a unit area when a substrate on which the resonators are formed is seen in plan view.
(FR) Selon la présente invention, un premier filtre (11) d'un multiplexeur (1) comprend une structure de filtre en échelle qui est configurée à partir d'une pluralité de résonateurs en série (111s-114s) et d'une pluralité de résonateurs parallèles (111p-113p). Les résonateurs sont des résonateurs à ondes élastiques qui ont une électrode IDT qui est configurée à partir d'une paire d'électrodes du type peigne. L'électrode IDT du résonateur série (111s) qui, parmi les résonateurs en série (111s7114s), est la plus proche d'une borne commune et/ou l'électrode IDT du résonateur parallèle (111p) qui est la plus proche de la borne commune sont supérieures aux électrodes IDT des résonateurs restants (112s-114s, 112p, 113p) en termes de poids d'une partie qui présente une zone unitaire quand un substrat sur lequel les résonateurs sont formés est vu dans une vue en plan.
(JA) マルチプレクサ(1)の第1フィルタ(11)は、複数の直列共振子(111s~114s)および複数の並列共振子(111p~113p)で構成されるラダーフィルタ構造を有する。各共振子(111s~114s、111p~113p)は、一対の櫛歯状電極で構成されるIDT電極を有する弾性波共振子である。直列共振子(111s~114s)のうち、共通端子に最も近い直列共振子(111s)のIDT電極および共通端子に最も近い並列共振子(111p)のIDT電極の少なくとも一方は、残りの共振子(112s~114s、112p、113p)のIDT電極と比べて、共振子が形成されている基板を平面視したときに単位面積を有する部分の重さにおいて大きい。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)