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1. (WO2019065690) FILM À COUPLAGE D'ÉCHANGE, ET ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE ET DISPOSITIF DE DÉTECTION DE MAGNÉTISME L'UTILISANT
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N° de publication : WO/2019/065690 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/035590
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 26.09.2018
CIB :
H01L 43/10 (2006.01) ,G01R 33/09 (2006.01) ,H01F 10/32 (2006.01) ,H01F 41/18 (2006.01) ,H01F 41/22 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02
Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06
en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09
des dispositifs magnéto-résistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10
Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
32
Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
41
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des dispositifs couverts par la présente sous-classe
14
pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats
18
par pulvérisation cathodique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
F
AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
41
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des dispositifs couverts par la présente sous-classe
14
pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats
22
Traitement thermique; Décomposition thermique; Dépôt chimique à partir d'une vapeur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
アルプスアルパイン株式会社 ALPS ALPINE CO., LTD. [JP/JP]; 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 1-7, Yukigaya-otsukamachi, Ota-ku, Tokyo 1458501, JP
Inventeurs :
齋藤 正路 SAITO, Masamichi; JP
小池 文人 KOIKE, Fumihito; JP
遠藤 広明 ENDO, Hiroaki; JP
Mandataire :
大窪 克之 OKUBO, Katsuyuki; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18654327.09.2017JP
Titre (EN) EXCHANGE COUPLED FILM, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETISM DETECTION DEVICE USING SAME
(FR) FILM À COUPLAGE D'ÉCHANGE, ET ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE ET DISPOSITIF DE DÉTECTION DE MAGNÉTISME L'UTILISANT
(JA) 交換結合膜ならびにこれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気検出装置
Abrégé :
(EN) According to the present invention, an exchange coupled film 10 that has a fixed magnetic layer for which a magnetic field (Hex) in which the magnetization direction thereof inverts is large, that is highly stable at high temperatures, and that has excellent high-field magnetoresistance is formed by laminating an antiferromagnetic layer 2, a fixed magnetic layer 3, and a free magnetic layer 5. The antiferromagnetic layer 2 comprises a PtCr layer 2A and an XMn layer 2B (X being Pt or Ir). The XMn layer B contacts the fixed magnetic layer 3. The fixed magnetic layer 3 is iron, cobalt, an iron-cobalt alloy, or an iron nickel alloy.
(FR) Selon la présente invention, un film à couplage d'échange 10 qui a une couche magnétique fixe pour laquelle un champ magnétique (Hex) dans lequel la direction de magnétisation de celui-ci s'inverse est grande, qui est hautement stable à des températures élevées, et qui a une excellente magnétorésistance à champ élevé est formé par stratification d'une couche antiferromagnétique 2, d'une couche magnétique fixe 3, et d'une couche magnétique libre 5. La couche antiferromagnétique 2 comprend une couche de PtCr 2A et une couche de XMn 2B (où X est du Pt ou de l'Ir). La couche de XMn 2B est en contact avec la couche magnétique fixe 3. La couche magnétique fixe 3 est du fer, du cobalt, un alliage fer-cobalt, ou un alliage de fer-nickel.
(JA) 固定磁性層の磁化の向きが反転する磁界(Hex)が大きく高温条件下における安定性が高く、しかも強磁場耐性に優れる交換結合膜10は、反強磁性層2と固定磁性層3とフリー磁性層5とが積層され、反強磁性層2はPtCr層2AとXMn層2B(ただし、XはPtまたはIr)とからなり、XMn層Bが固定磁性層3に接しており、固定磁性層3が鉄、コバルト、鉄コバルト合金または鉄ニッケル合金である。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)