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1. (WO2019065666) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
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N° de publication : WO/2019/065666 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/035552
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 26.09.2018
CIB :
H03H 9/25 (2006.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 41/08 (2006.01) ,H01L 41/09 (2006.01) ,H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
25
Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
Détails
04
d'éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
047
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
09
à entrée électrique et sortie mécanique
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
125
Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines
145
pour réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
64
utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
大村 正志 OMURA, Masashi; --
Mandataire :
特許業務法人北斗特許事務所 HOKUTO PATENT ATTORNEYS OFFICE; 大阪府大阪市北区梅田一丁目12‐17梅田スクエアビル Umeda Square Bldg., 12-17, Umeda 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300001, JP
Données relatives à la priorité :
2017-18673427.09.2017JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abrégé :
(EN) The present invention further enhances resistance to electric power while suppressing deterioration of frequency characteristics. A first IDT electrode (7A) and a second IDT electrode (7B) are connected in series to each other via a common bus bar (70) shared by these electrodes. In each of a first acoustic impedance layer (4A) and a second acoustic impedance layer (4B), at least one high-acoustic impedance layer (41) and at least one low-acoustic impedance layer are conductive layers. At least a portion of the conductive layers of the first acoustic impedance layer (4A) and at least a portion of the conductive layers of the second acoustic impedance layer (4B) do not overlap with the common bus bar (70) in a plan view from the thickness direction of a piezoelectric layer (5). The conductive layers of the first acoustic impedance layer (4A) are electrically insulated from the conductive layers of the second acoustic impedance layer (4B).
(FR) La présente invention permet d'améliorer davantage la résistance à l'énergie électrique tout en supprimant la détérioration des caractéristiques de fréquence. Une première électrode IDT (7A) et une seconde électrode IDT (7B) sont connectées en série l'une à l'autre par l'intermédiaire d'une barre omnibus commune (70) partagée par ces électrodes. Dans chacune d'une première couche à impédance acoustique (4A) et d'une seconde couche à impédance acoustique (4B), au moins une couche à haute impédance acoustique (41) et au moins une couche à faible impédance acoustique sont des couches conductrices. Au moins une partie des couches conductrices de la première couche à impédance acoustique (4A) et au moins une partie des couches conductrices de la seconde couche à impédance acoustique (4B) ne se chevauchent pas avec la barre omnibus commune (70) en vue en plan à partir de la direction de l'épaisseur d'une couche piézoélectrique (5). Les couches conductrices de la première couche à impédance acoustique (4A) sont isolées électriquement des couches conductrices de la seconde couche à impédance acoustique (4B).
(JA) 周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高める。第1IDT電極(7A)及び第2IDT電極(7B)は、互いに共有している共通バスバー(70)により互いに直列接続されている。第1音響インピーダンス層(4A)及び第2音響インピーダンス層(4B)の各々について、少なくとも1つの高音響インピーダンス層(41)及び少なくとも1つの低音響インピーダンス層の少なくとも1つが導電層である。第1音響インピーダンス層(4A)における導電層の少なくとも一部と第2音響インピーダンス層(4B)における導電層の少なくとも一部とが、圧電体層(5)の厚さ方向からの平面視において共通バスバー(70)と重複していない。第1音響インピーダンス層(4A)における導電層と第2音響インピーダンス層(4B)における導電層とが電気的に絶縁されている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)