Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019065656) SUBSTRAT À ÉLECTRODE TRAVERSANTE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT UN SUBSTRAT À ÉLECTRODE TRAVERSANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/065656 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/035524
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 25.09.2018
CIB :
H05K 3/42 (2006.01) ,H05K 3/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
40
Fabrication d'éléments imprimés destinés à réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
42
Trous de passage métallisés
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
46
Fabrication de circuits multi-couches
Déposants :
大日本印刷株式会社 DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都新宿区市谷加賀町一丁目一番一号 1-1-1, Ichigaya Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo 1628001, JP
Inventeurs :
中澤 進 NAKAZAWA Susumu; JP
笹生 恵大 SASAO Toshio; JP
高橋 直大 TAKAHASHI Naohiro; JP
古庄 宏樹 FURUSHOU Hiroki; JP
千吉良 敦子 CHIGIRA Atsuko; JP
成田 祐治 NARITA Yuji; JP
Mandataire :
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ TAKAHASHI, HAYASHI AND PARTNER PATENT ATTORNEYS, INC.; 東京都大田区蒲田5-24-2 損保ジャパン日本興亜蒲田ビル9階 Sonpo Japan Nipponkoa Kamata Building 9F, 5-24-2 Kamata, Ota-ku, Tokyo 1440052, JP
Données relatives à la priorité :
2017-19012929.09.2017JP
Titre (EN) THROUGH-ELECTRODE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THROUGH-ELECTRODE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT À ÉLECTRODE TRAVERSANTE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT UN SUBSTRAT À ÉLECTRODE TRAVERSANTE
(JA) 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置
Abrégé :
(EN) This through-electrode substrate comprises: a substrate constituted by an inorganic material; first wiring disposed on the substrate; a through-hole disposed on the substrate at a position apart from the first wiring; a through-electrode disposed on the inner wall of the through-hole; and second wiring connecting the first wiring and the through-electrode. According to the present disclosure, electrical continuity between the through-electrode and the wiring on the substrate is ensured in a high aspect ratio through-electrode substrate using a glass substrate, and a through-electrode substrate with improved electrical reliability and a method for producing the same can be provided.
(FR) Ce substrat à électrode traversante comprend : un substrat constitué d'un matériau inorganique ; un premier câblage disposé sur le substrat ; un trou traversant disposé sur le substrat à une position éloignée du premier câblage ; une électrode traversante disposée sur la paroi interne du trou traversant ; et un second câblage connectant le premier câblage et l'électrode traversante. Selon la présente invention, la continuité électrique entre l'électrode traversante et le câblage sur le substrat est assurée dans un substrat à électrode traversante à rapport d'aspect élevé à l'aide d'un substrat en verre, et un substrat à électrode traversante présentant une fiabilité électrique améliorée et son procédé de production peuvent être fournis.
(JA) 貫通電極基板は、無機材料で構成された基板と、前記基板の上に設けられた第1配線と、前記第1配線と離隔した位置において前記基板に設けられた貫通孔と、前記貫通孔の内壁に設けられた貫通電極と、前記第1配線及び前記貫通電極を接続する第2配線と、を有する。本開示によれば、ガラス基板を用いた高アスペクト比の貫通電極基板において、貫通電極と基板上の配線との導通が確保され、電気的信頼性が向上した貫通電極基板及びその製造方法を提供することができる。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)