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1. (WO2019065561) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, DISPOSITIF DE COMMUNICATION SANS FIL L'UTILISANT ET ÉTIQUETTE DE PRODUIT
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N° de publication : WO/2019/065561 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/035275
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 25.09.2018
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,C08G 77/42 (2006.01) ,C08G 77/58 (2006.01) ,C08K 3/00 (2018.01) ,C08K 3/22 (2006.01) ,C08L 83/04 (2006.01) ,C08L 101/00 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77
Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
42
Polymères séquencés ou greffés contenant des segments de polysiloxanes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77
Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
48
dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène
58
liés par un métal
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
K
EMPLOI COMME ADJUVANTS DE SUBSTANCES NON MACROMOLÉCULAIRES INORGANIQUES OU ORGANIQUES
3
Emploi d'ingrédients inorganiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
K
EMPLOI COMME ADJUVANTS DE SUBSTANCES NON MACROMOLÉCULAIRES INORGANIQUES OU ORGANIQUES
3
Emploi d'ingrédients inorganiques
18
Composés contenant de l'oxygène, p.ex. métaux-carbonyles
20
Oxydes; Hydroxydes
22
de métaux
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
L
COMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
83
Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone; Compositions contenant des dérivés de tels polymères
04
Polysiloxanes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
L
COMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
101
Compositions contenant des composés macromoléculaires non spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666, JP
Inventeurs :
崎井大輔 SAKII, Daisuke; JP
村瀬清一郎 MURASE, Seiichiro; JP
脇田潤史 WAKITA, Junji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18990029.09.2017JP
Titre (EN) FIELD EFFECT-TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, WIRELESS COMMUNICATION DEVICE USING SAME, AND PRODUCT TAG
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, DISPOSITIF DE COMMUNICATION SANS FIL L'UTILISANT ET ÉTIQUETTE DE PRODUIT
(JA) 電界効果型トランジスタ、その製造方法、それを用いた無線通信装置および商品タグ
Abrégé :
(EN) The field-effect transistor is provided with at least: a substrate; a source electrode, a drain electrode and a gate electrode; a semiconductor layer that contacts the source electrode and the drain electrode; and a gate insulating layer that insulates the semiconductor layer from the gate electrode. The semiconductor layer contains carbon nanotubes, and the gate insulating layer contains a polymer in which inorganic particles are bonded. Provided are a field effect-transistor which has reduced leak current and enables uniform coating of a semiconductor solution, and a method for manufacturing the same.
(FR) L'invention concerne un transistor à effet de champ comprenant au moins : un substrat ; une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de grille ; une couche semi-conductrice qui entre en contact avec l'électrode de source et l'électrode de drain ; et une couche d'isolation de grille qui isole la couche semi-conductrice de l'électrode de grille. La couche semi-conductrice contient des nanotubes de carbone, et la couche d'isolation de grille contient un polymère dans lequel des particules inorganiques sont liées. L'invention concerne un transistor à effet de champ qui présente un courant de fuite réduit et permet un revêtement uniforme d'une solution semi-conductrice, et son procédé de fabrication.
(JA) 少なくとも、基板と、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、を備えた電界効果型トランジスタであって、前記半導体層が、カーボンナノチューブを含有し、前記ゲート絶縁層が、無機粒子が結合したポリマーを含有する電界効果型トランジスタ。リーク電流が低減され、さらに半導体溶液の均一塗布が可能となる電界効果型トランジスタと、その製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)