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1. (WO2019065544) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT
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N° de publication : WO/2019/065544 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/035216
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 21.09.2018
CIB :
H01L 21/28 (2006.01) ,C23C 16/56 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
56
Post-traitement
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants :
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍜治町3丁目4番地 3-4, KandaKaji-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010045, JP
Inventeurs :
中山 雅則 NAKAYAMA, Masanori; JP
舟木 克典 FUNAKI, Katsunori; JP
上田 立志 UEDA, Tatsushi; JP
坪田 康寿 TSUBOTA, Yasutoshi; JP
竹島 雄一郎 TAKESHIMA, Yuichiro; JP
井川 博登 IGAWA, Hiroto; JP
山角 宥貴 YAMAKADO, Yuki; JP
Mandataire :
特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO; 東京都新宿区新宿4丁目3番17号 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2017-18799428.09.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体
Abrégé :
(EN) Provided is a technique for modifying a tungsten film formed on a substrate so that the sheet resistance thereof is considerably reduced, thereby forming a tungsten film which has excellent characteristics and is applicable to electrodes and the like. A method for producing a semiconductor device according to the present invention comprises: a step for carrying a substrate, on the surface of which a tungsten film has been formed, into a processing chamber; a step for producing a reactive species by plasma-exciting a processing gas that contains hydrogen and oxygen; and a step for modifying the tungsten film by supplying the reactive species to the substrate. In the step for modifying the tungsten film, the tungsten film is modified so that the crystal grain size of tungsten that constitutes the tungsten film becomes larger than the crystal grain size before the modification step.
(FR) L’invention concerne une technique de modification d’une pellicule de tungstène formée sur un substrat de sorte que sa résistance de feuille soit considérablement réduite, formant ainsi une pellicule de tungstène dont les caractéristiques sont excellentes et qui est applicable à des électrodes et similaire. Un procédé de production d’un dispositif semi-conducteur selon la présente invention consiste : en une étape de transport d’un substrat, sur la surface duquel a été formée une pellicule de tungstène, dans une chambre de traitement ; en une étape de production d’une espèce réactive par excitation par plasma d’un gaz de traitement qui contient de l’hydrogène et de l’oxygène ; et en une étape de modification de la pellicule de tungstène en fournissant l’espèce réactive au substrat. Lors de l’étape de modification de la pellicule de tungstène, la pellicule de tungstène est modifiée de sorte que la taille de grains de cristal de tungstène qui constitue la pellicule de tungstène devient supérieure à la taille de grains de cristal avant l’étape de modification.
(JA) 基板上に形成されたタングステン膜のシート抵抗値を大幅に低減するように改質し、電極等に適用される優れた特性を有するタングステン膜を形成する技術を提供する。表面にタングステン膜が形成された基板を処理室内に搬入する工程と、水素及び酸素を含有する処理ガスをプラズマ励起することにより反応種を生成する工程と、反応種を基板に供給してタングステン膜を改質する工程と、を有し、タングステン膜を改質する工程では、タングステン膜を構成するタングステンの結晶粒径が当該工程を行う前よりも大きくなるようにタングステン膜を改質する。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)