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1. (WO2019065357) COMPOSITION DE POLISSAGE
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N° de publication : WO/2019/065357 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/034401
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 18.09.2018
CIB :
C09K 3/14 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3
Substances non couvertes ailleurs
14
Substances antidérapantes; Abrasifs
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37
Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町地領二丁目1番地1 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
Inventeurs :
谷口 恵 TANIGUCHI, Megumi; JP
向井 貴俊 MUKAI, Takatoshi; JP
土屋 公亮 TSUCHIYA, Kohsuke; JP
Mandataire :
安部 誠 ABE, Makoto; JP
Données relatives à la priorité :
2017-19117529.09.2017JP
Titre (EN) POLISHING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE
(JA) 研磨用組成物
Abrégé :
(EN) Provided is a polishing composition having excellent capability for removing protrusions at the hard laser mark periphery. This polishing composition contains abrasive grains, a basic compound, and water. The basic compound includes a combination of two or more types of quaternary ammonium compounds. The two or more types of quaternary ammonium compounds include tetramethyl ammonium hydroxide and one or more types selected from compounds represented by general formula (1). (In the formula, X- is a monovalent anion and R1, R2, R3, and R4 are each independently selected from the group consisting of C1-4 hydrocarbon groups. However, at least one of R1, R2, R3 and R4 is a C2-4 hydrocarbon group.)
(FR) L'invention concerne une composition de polissage ayant une excellente aptitude à éliminer des protubérances à la périphérie de marques laser dures. La composition de polissage contient des particules abrasives, un composé basique et de l'eau. Le composé basique comprend une combinaison d'au moins deux types de composés d'ammonium quaternaire. Les au moins deux types de composés d'ammonium quaternaire comprennent de l'hydroxyde de tétraméthyle ammonium et un ou plusieurs types choisis parmi des composés représentés par la formule générale (1). Dans la formule, X- est un anion monovalent et R1, R2, R3 et R4 sont tous choisis indépendamment dans le groupe composé de groupes C1-4-hydrocarbure. Cependant, R1, R2, R3 et/ou R4 est un groupe C2-4-hydrocarbure.
(JA) ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消する性能に優れた研磨用組成物を提供する。本発明により提供される研磨用組成物は、砥粒と塩基性化合物と水とを含む。上記塩基性化合物は、2種以上の第四級アンモニウム化合物を組み合わせて含む。上記2種以上の第四級アンモニウム化合物は、水酸化テトラメチルアンモニウムと、以下の一般式(1)で表される化合物から選択される1種以上とを含む。 (式中のXは一価のアニオンであり、R,R,R,Rは、それぞれ独立に、炭素原子数1~4の炭化水素基からなる群から選択される。ただし、R,R,R,Rのうち少なくとも一つは炭素原子数2~4の炭化水素基である。)
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)