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1. (WO2019065355) ÉTAGE DE FIXATION PAR ASPIRATION
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N° de publication : WO/2019/065355 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/034388
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 18.09.2018
CIB :
H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
株式会社新川 SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 東京都武蔵村山市伊奈平2丁目51番地の1 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585, JP
Inventeurs :
小林 泰人 KOBAYASHI, Taito; JP
馬詰 邦彦 MAZUME, Kunihiko; JP
Mandataire :
特許業務法人YKI国際特許事務所 YKI INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 東京都武蔵野市吉祥寺本町一丁目34番12号 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004, JP
Données relatives à la priorité :
2017-18863528.09.2017JP
Titre (EN) SUCTION-ATTACHMENT STAGE
(FR) ÉTAGE DE FIXATION PAR ASPIRATION
(JA) 吸着ステージ
Abrégé :
(EN) This suction-attachment stage (20) comprises: an upper plate (21) having a plurality of suction-attachment holes (22); first to third vacuum flow passageways(41 to 43) which respectively connect the plurality of suction-attachment holes (22) in the upper plate (21) to a vacuum device (45) for a plurality of groups A1 to A3 corresponding to the size of a semiconductor die; and first and second check valves (61, 62) respectively disposed in the second and third vacuum flow passageways (42, 43). The first and second check valves (61, 62) close when the suction-attachment holes (22) are opened to the atmosphere, and open when the suction-attachment holes (22) are blocked by a semiconductor die.
(FR) La présente invention concerne un étage de fixation par aspiration (20) qui comprend : une plaque supérieure (21) ayant une pluralité de trous (22) de fixation par aspiration ; un premier à un troisième passage d’écoulement (41 à 43) à vide qui raccordent respectivement la pluralité de trous (22) de fixation par aspiration dans la plaque supérieure (21) à un dispositif à vide (45) pour une pluralité de groupes (A1 à A3) correspondant à la taille d’une puce semi-conductrice ; et de première et deuxième vannes de contrôle (61, 62) disposées respectivement dans les deuxième et troisième passages d’écoulement (42, 43) à vide. Les première et deuxième vannes de contrôle (61, 62) se ferment lorsque les trous (22) de fixation par aspiration sont ouverts à l’atmosphère, et s’ouvrent lorsque les trous (22) de fixation par aspiration sont bloqués par une puce semi-conductrice.
(JA) 吸着ステージ(20)は、複数の吸着孔(22)が設けられた上板(21)と、上板(21)に設けられた複数の吸着孔(22)を半導体ダイのサイズに応じた複数のグループA1~A3毎に真空装置(45)に接続する第1~第3真空流路(41~43)と、第2、第3真空流路(42,43)に設けられた第1、第2逆止弁(61,62)を含み、第1、第2逆止弁(61,62)は、吸着孔(22)が大気開放されている場合に閉となり、半導体ダイによって吸着孔(22)が塞がれると開となる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)