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1. (WO2019065309) PROCÉDÉ DE RÉGLAGE DE CONDITIONS DE CHAUFFAGE DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE PENDANT LA CONNEXION, PROCÉDÉ DE MESURE DE LA VISCOSITÉ D'UN FILM NON CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONNEXION
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N° de publication : WO/2019/065309 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/034203
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 14.09.2018
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 21.12.2018
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
株式会社新川 SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 東京都武蔵村山市伊奈平2丁目51番地の1 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585, JP
Inventeurs :
中村 智宣 NAKAMURA, Tomonori; JP
前田 徹 MAEDA, Toru; JP
永井 訓 NAGAI, Satoru; JP
佐伯 吉浩 SAEKI, Yoshihiro; JP
渡辺 治 WATANABE, Osamu; JP
Mandataire :
特許業務法人YKI国際特許事務所 YKI INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 東京都武蔵野市吉祥寺本町一丁目34番12号 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004, JP
Données relatives à la priorité :
2017-18792128.09.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR SETTING CONDITIONS FOR HEATING SEMICONDUCTOR CHIP DURING BONDING, METHOD FOR MEASURING VISCOSITY OF NON-CONDUCTIVE FILM, AND BONDING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGLAGE DE CONDITIONS DE CHAUFFAGE DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE PENDANT LA CONNEXION, PROCÉDÉ DE MESURE DE LA VISCOSITÉ D'UN FILM NON CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONNEXION
(JA) ボンディングの際の半導体チップの加熱条件設定方法及び非導電性フィルムの粘度測定方法ならびにボンディング装置
Abrégé :
(EN) Provided is a method for setting the conditions for heating a semiconductor chip during bonding of the semiconductor chip using an NCF, wherein a heating start temperature and the rate of temperature increase are set on the basis of a viscosity characteristic map that indicates changes in viscosity with respect to the temperature of the NCF at various rates of temperature increase and a heating start temperature map that indicates changes in viscosity with respect to the temperature of the NCF when the heating start temperature is changed at the same rate of temperature increase.
(FR) L'invention concerne un procédé de réglage des conditions de chauffage d'une puce semi-conductrice pendant la connexion de la puce semi-conductrice à l'aide d'un NCF, une température de début de chauffage et la vitesse d'augmentation de température étant réglées sur la base d'une carte de caractéristiques de viscosité qui indique des changements de viscosité par rapport à la température du NCF à diverses vitesses d'augmentation de température et d'une carte de température de début de chauffage qui indique des changements de viscosité par rapport à la température du NCF lorsque la température de début de chauffage change à la même vitesse d'augmentation de température.
(JA) NCFを用いて半導体チップをボンディングする際の半導体チップの加熱条件設定方法であって、各種の温度上昇率におけるNCFの温度に対する粘度の変化を示す粘度特性マップと、同一の温度上昇率で加熱開始温度を変化させた場合のNCFの温度に対する粘度の変化を示す加熱開始温度特性マップとに基づいて加熱開始温度と温度上昇率とを設定する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)