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1. (WO2019065295) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/065295 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/034127
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 14.09.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 1/11 (2015.01) ,G02B 5/22 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
1
Eléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faits; Revêtements optiques pour éléments optiques
10
Revêtements optiques obtenus par application sur les éléments optiques ou par traitement de la surface de ceux-ci
11
Revêtements antiréfléchissants
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5
Eléments optiques autres que les lentilles
20
Filtres
22
Filtres absorbants
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
名取 太知 NATORI Taichi; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-19042229.09.2017JP
Titre (EN) IMAGING ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
Abrégé :
(EN) The present technique relates to: an imaging element which is able to be suppressed in the occurrence of voids in an infrared blocking filter layer; a method for producing this imaging element; and an electronic device. This imaging element is provided with: a light reception sensor which photoelectrically converts light incident thereon; a cover glass which protects the upper surface of the light reception sensor, said upper surface functioning as a light incident surface of the light reception sensor; a frame which is arranged on the outer peripheral part between the light reception sensor and the cover glass, and which is formed from an inorganic material; and an infrared blocking filter layer which is formed inside the frame, while being on the same plane with the frame. The present technique is applicable, for example, to an imaging element having a CSP structure, and the like.
(FR) La présente invention concerne : un élément d'imagerie qui peut être supprimé en cas d'apparition de vides dans une couche de filtre bloquant les infrarouges ; un procédé de production dudit élément d'imagerie ; et un dispositif électronique. Cet élément d'imagerie comprend : un capteur récepteur de lumière qui convertit de manière photoélectrique la lumière incidente sur celui-ci ; un verre de couverture qui protège la surface supérieure du capteur récepteur de lumière, ladite surface supérieure fonctionnant comme une surface d'incidence de lumière du capteur récepteur de lumière ; un cadre qui est agencé sur la partie périphérique externe entre le capteur récepteur de lumière et le verre de couverture, et qui est formé d'un matériau inorganique ; et une couche de filtre bloquant les infrarouges qui est formée à l'intérieur du cadre, tout en étant sur le même plan que le cadre. La présente technique est applicable, par exemple, à un élément d'imagerie ayant une structure CSP et similaire.
(JA) 本技術は、赤外線カットフィルタ層におけるボイドの発生を抑えることができるようにする撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 撮像素子は、入射した光を光電変換する受光センサと、受光センサの光入射面である上面側を保護するカバーガラスと、受光センサとカバーガラスとの間の外周部に配置された、無機材料で形成された枠と、枠と同一平面の内側に形成された赤外線カットフィルタ層とを備える。本技術は、例えば、CSP構造の撮像素子等に適用できる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)