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1. (WO2019065291) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGES ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGES
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N° de publication : WO/2019/065291 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/034110
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 14.09.2018
CIB :
G01J 1/04 (2006.01) ,G01J 1/02 (2006.01) ,G01S 7/486 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
1
Photométrie, p.ex. posemètres photographiques
02
Parties constitutives
04
Pièces optiques ou mécaniques
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
1
Photométrie, p.ex. posemètres photographiques
02
Parties constitutives
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
S
DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES
7
Détails des systèmes correspondant aux groupes G01S13/, G01S15/, G01S17/135
48
de systèmes selon le groupe G01S17/56
483
Détails de systèmes à impulsions
486
Récepteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
円能寺 皓平 ENNOJI Kohei; JP
山口 真悟 YAMAGUCHI Shingo; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18815228.09.2017JP
Titre (EN) IMAGE CAPTURING ELEMENT AND IMAGE CAPTURING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGES ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGES
(JA) 撮像素子および撮像装置
Abrégé :
(EN) The present technology relates to an image capturing element and an image capturing device, which can reduce a range-finding error. A solid-state image capturing device is provided with a pixel array unit having a plurality of pixels that photoelectrically convert incident light, wherein each of the pixels has: a substrate which photoelectrically converts incident light; a first signal extraction part which has an application electrode for generating an electric field by the application of voltage and an attraction electrode for detecting a signal carrier generated by the photoelectric conversion; a second signal extraction part which has an application electrode and an attraction electrode; and a light collecting part which is formed on the substrate and causes the light to be incident on the substrate. The light collecting part collects the light between at least the first signal extraction part and second signal extraction part provided in the substrate. The present technology can be applied to a CAPD sensor.
(FR) La présente invention concerne un élément de capture d'images et un dispositif de capture d'images, qui peuvent réduire une erreur de télémétrie. Un dispositif de capture d'image à semi-conducteur est pourvu d'une unité de réseau de pixels ayant une pluralité de pixels qui convertissent de manière photoélectrique la lumière incidente, chacun des pixels comprenant : un substrat qui convertit de manière photoélectrique la lumière incidente ; une première partie d'extraction de signal qui comporte une électrode d'application destinée à générer un champ électrique par l'application d'une tension et une électrode d'attraction destinée à détecter une porteuse de signal générée par la conversion photoélectrique ; une deuxième partie d'extraction de signal qui comporte une électrode d'application et une électrode d'attraction ; et une partie de collecte de lumière qui est formée sur le substrat et amène la lumière à être incidente sur le substrat. La partie de collecte de lumière collecte la lumière entre au moins la première partie d'extraction de signal et la deuxième partie d'extraction de signal disposée dans le substrat. La présente invention peut être appliquée à un capteur CAPD.
(JA) 本技術は、測距誤差を低減させることができるようにする撮像素子および撮像装置に関する。 固体撮像装置は、入射した光を光電変換する画素を複数有する画素アレイ部を備え、画素は、入射した光を光電変換する基板と、電圧の印加により電界を発生させるための印加電極と、光電変換により発生した信号キャリアを検出するための吸引電極とを有する第1の信号取り出し部と、印加電極と吸引電極とを有する第2の信号取り出し部と、基板上に形成され、光を基板に入射させる集光部とを有する。集光部は、少なくとも、基板内に設けられた第1の信号取り出し部と第2の信号取り出し部との間に光を集光させる。本技術は、CAPDセンサに適用することができる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)