Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019065233) DISPOSITIF DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/065233 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/033773
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 12.09.2018
CIB :
H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
住友大阪セメント株式会社 SUMITOMO OSAKA CEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区六番町6番地28 6-28, Rokuban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1028465, JP
Inventeurs :
小坂井 守 KOSAKAI Mamoru; JP
尾崎 雅樹 OZAKI Masaki; JP
前田 佳祐 MAEDA Keisuke; JP
Mandataire :
西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
佐藤 彰雄 SATO Akio; JP
萩原 綾夏 HAGIWARA Ayaka; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18972029.09.2017JP
Titre (EN) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック装置
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to reduce non-uniformity of etching in the plane of a wafer. This electrostatic chuck device is provided with: an electrostatic chuck unit which includes a sample mounting surface for mounting a sample and a first electrode for electrostatic suction; a cooling base unit which is mounted on the opposite side from the sample mounting surface with respect to the electrostatic chuck unit and which cools the electrostatic chuck unit; and an adhesive layer for adhering the electrostatic chuck unit and the cooling base unit to each other. The cooling base unit has the function of a second electrode which is an RF electrode. An RF electrode or a third electrode for LC adjustment is provided between the electrostatic chuck unit and the cooling base unit. The third electrode is adhered to the electrostatic chuck unit and the cooling base unit, and is insulated from the cooling base unit.
(FR) Le but de la présente invention est de réduire la non-uniformité de gravure dans le plan d'une tranche. Ce dispositif de mandrin électrostatique comprend : une unité de mandrin électrostatique qui comprend une surface de montage d'échantillon pour monter un échantillon et une première électrode pour une aspiration électrostatique ; une unité de base de refroidissement qui est montée sur le côté opposé à la surface de montage d'échantillon par rapport à l'unité de mandrin électrostatique et qui refroidit l'unité de mandrin électrostatique ; et une couche adhésive pour faire adhérer l'unité de mandrin électrostatique et l'unité de base de refroidissement l'une à l'autre. L'unité de base de refroidissement a la fonction d'une seconde électrode qui est une électrode RF. Une électrode RF ou une troisième électrode pour ajustement LC est disposée entre l'unité de mandrin électrostatique et l'unité de base de refroidissement. La troisième électrode est collée à l'unité de mandrin électrostatique et à l'unité de base de refroidissement, et est isolée de l'unité de base de refroidissement.
(JA) ウエハの面内のエッチングが不均一になってしまうことを軽減すること。静電チャック装置は、試料を載置する試料載置面を有するとともに静電吸着用の第1の電極を有する静電チャック部と、静電チャック部に対し試料載置面とは反対側に載置され静電チャック部を冷却する冷却ベース部と、静電チャック部と冷却ベース部とを接着する接着層と、を備え、冷却ベース部は、RF電極である第2の電極の機能を有しており、静電チャック部と冷却ベース部との間に、RF電極もしくはLC調整用の第3の電極を有しており、第3の電極は、静電チャック部及び冷却ベース部と接着され、冷却ベース部とは絶縁されている。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)