Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019065174) DISPOSITIF DE MESURE TEMPORELLE ET APPAREIL DE MESURE TEMPORELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/065174 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/033381
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 10.09.2018
CIB :
G01S 7/486 (2006.01) ,G01S 17/89 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01) ,H01L 31/107 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
S
DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES
7
Détails des systèmes correspondant aux groupes G01S13/, G01S15/, G01S17/135
48
de systèmes selon le groupe G01S17/56
483
Détails de systèmes à impulsions
486
Récepteurs
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
S
DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES
17
Systèmes utilisant la réflexion ou reradiation d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio, p.ex. systèmes lidar
88
Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques
89
pour la cartographie ou la représentation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107
la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
長谷川 浩一 HASEGAWA, Koichi; JP
Mandataire :
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2017-19030429.09.2017JP
Titre (EN) TIME MEASUREMENT DEVICE AND TIME MEASUREMENT APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE MESURE TEMPORELLE ET APPAREIL DE MESURE TEMPORELLE
(JA) 時間計測デバイスおよび時間計測装置
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a time measurement device which can easily lay out a circuit. The time measurement device (20) of the present invention is provided with: a plurality of pixels (30) which are provided side by side in a first direction and each of which includes a single photon avalanche diode (SPAD) formed on a first semiconductor substrate, and generate a first logic signal (S35) according to a detection timing in the single photo avalanche diode (SPAD); and a time measurement unit (24) which is formed on a second semiconductor substrate affixed to the first semiconductor substrate and measures a detection timing in each of the plurality of pixels (30). Among the plurality of pixels (30), each of pixels other than a first pixel which is disposed on one end in the first direction generates an output signal on the basis of an output signal of one pixel other than said each pixel and the first logic signal (S35) generated in said each pixel. The time measurement unit (24) measures the detection timing in each of the plurality of pixels (30) on the basis of an output signal of a second pixel disposed on the other end in the first direction among the plurality of pixels (30). The time measurement device (20) of the present invention can be applied to, for example, a distance measurement device.
(FR) Le but de la présente invention est de fournir un dispositif de mesure temporelle permettant de configurer facilement un circuit. Le dispositif de mesure temporelle (20) de la présente invention comprend : une pluralité de pixels (30) situés côte à côte dans une première direction, chaque pixel comprenant une photodiode à avalanche à photon unique (SPAD) formée sur un premier substrat semi-conducteur, et générant un premier signal logique (S35) en fonction d'une synchronisation de détection dans la photodiode à avalanche à photon unique (SPAD); et une unité de mesure temporelle (24) formée sur un second substrat semi-conducteur fixé au premier substrat semi-conducteur et mesurant une synchronisation de détection dans chaque pixel de la pluralité de pixels (30). Parmi la pluralité de pixels (30), chacun des pixels autres qu'un premier pixel qui est disposé sur une extrémité dans la première direction génère un signal de sortie en fonction d'un signal de sortie d'un pixel autre que chacun desdits pixels et que le premier signal logique (S35) généré dans chacun desdits pixels. L'unité de mesure temporelle (24) mesure la synchronisation de détection dans chaque pixel de la pluralité de pixels (30) en fonction d'un signal de sortie d'un second pixel disposé sur l'autre extrémité dans la première direction parmi la pluralité de pixels (30). Le dispositif de mesure temporelle de la présente invention peut s'appliquer, par exemple, à un dispositif de télémétrie.
(JA) 本発明は、回路のレイアウトをしやすい時間計測デバイスを提供することを目的とする。 本発明の時間計測デバイス(20)は、第1の方向に並設され、それぞれが、第1の半導体基板に形成されたシングルフォトンアバランシェダイオード(SPAD)を含み、シングルフォトンアバランシェダイオード(SPAD)における検出タイミングに応じた第1の論理信号(S35)を生成する複数の画素(30)と、第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成され、複数の画素(30)のそれぞれにおける検出タイミングを計測する時間計測部(24)とを備える。上記複数の画素(30)のうちの第1の方向の一端に配置された第1の画素以外の各画素は、その画素以外の一の画素の出力信号と、その画素において生成された第1の論理信号(S35)とに基づいて、出力信号を生成し、時間計測部(24)は、複数の画素(30)のうちの第1の方向の他端に配置された第2の画素の出力信号に基づいて、複数の画素(30)のそれぞれにおける検出タイミングを計測する。 本発明の時間計測デバイス(20)は、例えば、距離計測デバイスに応用できる。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)