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1. (WO2019065118) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET ÉLÉMENT DE JONCTION
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N° de publication : WO/2019/065118 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/032711
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 04.09.2018
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
齋江 俊之 SAIE Toshiyuki; JP
黒岡 俊次 KUROOKA Shunji; JP
堀田 吉則 HOTTA Yoshinori; JP
山下 広祐 YAMASHITA Kosuke; JP
Mandataire :
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18994529.09.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND JOINT MEMBER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET ÉLÉMENT DE JONCTION
(JA) 半導体デバイスの製造方法および接合部材
Abrégé :
(EN) Provided are: a manufacturing method for a semiconductor device which has low electric resistance and which exhibits high joint strength; and a joint member. This semiconductor device manufacturing method comprises a joining step for connecting a joint member, which has an electrode and has an adhesive layer and in which the electrode is exposed out of the adhesive layer, to an anisotropically conductive member having an insulative base material and a plurality of conduction passages that penetrate the insulative base material in the thickness direction thereof and that are disposed in such a manner as to be electrically insulated from each other. It is preferable to include, before the joining step, an exposure step for exposing the electrode of the joint member.
(FR) L'invention concerne : un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui présente une faible résistance électrique et qui présente une résistance de jonction élevée ; et un élément de jonction. Ce procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur comprend une étape de jonction pour connecter un élément de jonction, qui a une électrode et une couche adhésive et dans lequel l'électrode est exposée hors de la couche adhésive, à un élément conducteur anisotrope ayant un matériau de base isolant et une pluralité de passages de conduction qui pénètrent dans le matériau de base isolant dans le sens de l'épaisseur de celui-ci et qui sont disposés de manière à être isolés électriquement l'un de l'autre. Il est préférable d'inclure, avant l'étape de jonction, une étape d'exposition pour exposer l'électrode de l'élément de jonction.
(JA) 電気抵抗が小さく、かつ接合強度が高い半導体デバイスの製造方法および接合部材を提供する。半導体デバイスの製造方法は、電極と粘着層を有し、電極が粘着層から露出している接合部材と、絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた複数の導通路とを有する異方導電性部材とを接合する接合工程を有する。接合工程の前に接合部材の電極を露出させる露出工程を有することが好ましい。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)