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1. (WO2019065056) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUE
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N° de publication : WO/2019/065056 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031903
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.08.2018
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,C08F 220/22 (2006.01) ,C08F 220/34 (2006.01) ,C08G 61/12 (2006.01) ,G01N 27/00 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
22
Esters contenant un halogène
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
34
Esters contenant de l'azote
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
61
Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison carbone-carbone dans la chaîne principale de la macromolécule
12
Composés macromoléculaires contenant d'autres atomes que le carbone dans la chaîne principale de la macromolécule
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区新川二丁目27番1号 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
Inventeurs :
伊藤 真也 ITO, Shinya; JP
横井 優季 YOKOI, Yuki; JP
吉川 栄二 YOSHIKAWA, Eiji; JP
Mandataire :
中山 亨 NAKAYAMA, Tohru; JP
坂元 徹 SAKAMOTO, Toru; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18446126.09.2017JP
Titre (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ
Abrégé :
(EN) Provided is an organic thin film transistor wherein carrier mobility is high. This organic thin film transistor comprises a gate electrode, a gate insulation layer (A), a gate insulation layer (B), an organic semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode. The gate insulation layer (A) and the gate insulation layer (B) are provided between the gate electrode and the organic semiconductor layer. One surface of the gate insulation layer (B) is adjacent to the organic semiconductor layer. When γL represents the surface free energy of the gate insulation layer (A), and γS represents the surface free energy of the gate insulation layer (B), γL and γS satisfy formula (11). The gate insulation layer (B) is a layer containing a compound having a group represented by formula (1). (1) -(C=O)-NR- (11) γLS ≥ 5
(FR) L'invention fournit un transistor à couches minces organique qui présente une mobilité de porteur de charge élevée. Ainsi, l'invention concerne un transistor à couches minces qui est équipé d'une électrode de grille, d'une couche d'isolation de grille (A), d'une couche d'isolation de grille (B), d'une couche semi-conductrice organique, d'une électrode source et d'une électrode drain. Plus précisément, ce transistor à couches minces est équipé de la couche d'isolation de grille (A) et de la couche d'isolation de grille (B) entre l'électrode de grille et la couche semi-conductrice organique. Une des faces de la couche d'isolation de grille (B) est en contact avec la couche semi-conductrice organique. Lorsque l'énergie libre superficielle de la couche d'isolation de grille (A) est représentée par γ, et que l'énergie libre superficielle de la couche d'isolation de grille (B) est représentée par γ, alors γ et γ satisfont la formule (11). La couche d'isolation de grille (B) comprend un composé possédant un groupe représenté par la formule (1). -(C=O)-NR- (1) γ-γ≧5 (11)
(JA) キャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供する。ゲート電極と、ゲート絶縁層(A)と、ゲート絶縁層(B)と、有機半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極とを備える有機薄膜トランジスタであって、ゲート電極と有機半導体層との間にゲート絶縁層(A)とゲート絶縁層(B)とを備え、ゲート絶縁層(B)の一方の面は有機半導体層に隣接し、ゲート絶縁層(A)の表面自由エネルギーをγ、ゲート絶縁層(B)の表面自由エネルギーをγとして、γとγとが下記式(11)を満足し、ゲート絶縁層(B)が、下記式(1)で表される基を有する化合物を含有する層である有機薄膜トランジスタ。 -(C=O)-NR- (1) γ-γ≧5 (11)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)