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1. (WO2019065055) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUE
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N° de publication : WO/2019/065055 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031902
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.08.2018
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312
Couches organiques, p.ex. couche photosensible
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区新川二丁目27番1号 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
Inventeurs :
金坂 将 KANESAKA, Sho; JP
吉川 栄二 YOSHIKAWA, Eiji; JP
横井 優季 YOKOI, Yuki; JP
Mandataire :
中山 亨 NAKAYAMA, Tohru; JP
坂元 徹 SAKAMOTO, Toru; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18446326.09.2017JP
Titre (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ
Abrégé :
(EN) Provided is an organic thin film transistor that has excellent inter-layer contact tightness and with which a large source drain current can be obtained. This organic thin film transistor comprises a gate electrode, a gate insulation layer (A), a gate insulation layer (B), an organic semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode. The gate insulation layer (A) and the gate insulation layer (B) are provided between the gate electrode and the organic semiconductor layer. One surface of the gate insulation layer (B) is adjacent to the organic semiconductor layer. The gate insulation layer (B) is a layer containing a cross-linked polymer compound having one or more species of atom selected from the group consisting of silicon atoms and fluorine atoms. The dielectric constant of the gate insulation layer (A) is higher than the dielectric constant of the gate insulation layer (B) by 0.5 or more.
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces organique qui est excellent en termes d'adhérence intercouche, et qui permet d'obtenir un courant source-drain important. Ainsi, l'invention concerne un transistor à couches minces organique qui est équipé d'une électrode de grille, d'une couche d'isolation de grille (A), d'une couche d'isolation de grille (B), d'une couche semi-conductrice organique, d'une électrode source et d'une électrode drain. Plus précisément, ce transistor à couches minces organique est équipé de la couche d'isolation de grille (A) et de la couche d'isolation de grille (B) entre l'électrode de grille et la couche semi-conductrice organique. Une des faces de la couche d'isolation de grille (B) est en contact avec la couche semi-conductrice organique. Ladite couche d'isolation de grille (B) contient un composé polymère réticulé possédant au moins une sorte d'atomes choisie dans un groupe constitué d'un atome de silicium et d'un atome de fluor. La permittivité diélectrique relative de ladite couche d'isolation de grille (A), est supérieure de 0,5 ou plus à la permittivité diélectrique relative de ladite couche d'isolation de grille (B).
(JA) 層間の密着性に優れ、大きなソースドレイン電流が得られる有機薄膜トランジスタを提供する。ゲート電極と、ゲート絶縁層(A)と、ゲート絶縁層(B)と、有機半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極とを備える有機薄膜トランジスタであって、ゲート電極と有機半導体層との間にゲート絶縁層(A)とゲート絶縁層(B)とを備え、ゲート絶縁層(B)の一方の面は有機半導体層に隣接し、前記ゲート絶縁層(B)が、ケイ素原子およびフッ素原子からなる群より選ばれる一種以上の原子を有する架橋高分子化合物を含む層であり、前記ゲート絶縁層(A)の比誘電率が、ゲート絶縁層(B)の比誘電率より0.5以上高い有機薄膜トランジスタ。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)