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1. (WO2019065049) CI D’ALIMENTATION ÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2019/065049 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031757
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.08.2018
CIB :
H02M 3/155 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 23/50 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
3
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
02
sans transformation intermédiaire en courant alternatif
04
par convertisseurs statiques
10
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
145
utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande
155
utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
50
pour des dispositifs à circuit intégré
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
06
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-Ku, Kyoto-Shi, Kyoto 6158585, JP
Inventeurs :
名手 智 NATE Satoru; JP
佐藤 好則 SATO Yoshinori; JP
Mandataire :
特許業務法人 佐野特許事務所 SANO PATENT OFFICE; 大阪府大阪市中央区天満橋京町2-6天満橋八千代ビル別館5F 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032, JP
Données relatives à la priorité :
2017-18817128.09.2017JP
2017-18818128.09.2017JP
Titre (EN) POWER SUPPLY IC
(FR) CI D’ALIMENTATION ÉLECTRIQUE
(JA) 電源IC
Abrégé :
(EN) This power supply IC 100 is a semiconductor integrated circuit device serving as a main part for controlling a switching power supply and is formed by integrating a feedback resistor 201 and an output feedback control unit 202 on a single semiconductor substrate 200, said feedback resistor 201 generating a feedback voltage by dividing the output voltage of the switching power supply (or the induced voltage appearing across an auxiliary winding provided on the primary side of a transformer included in an insulation-type switching power supply), said output feedback control unit 202 performing output feedback control of the switching power supply in accordance with the feedback voltage. The feedback resistor 201 is a polysilicon resistor having a withstand voltage of 100 V or more. A high-voltage region 203 having higher withstand voltage in the substrate thickness direction than the other region is formed in the semiconductor substrate 200, and the feedback resistor 201 is formed on the high-voltage region 203. The high-voltage region 203 is, for example, an LDMOSFET region.
(FR) La présente invention concerne un CI d’alimentation électrique (100) qui est un dispositif à circuit intégré semi-conducteur servant de partie principale de commande d’une alimentation électrique à commutation et qui est formé en intégrant une résistance rétroactive (201) et une unité de commande rétroactive de sortie (202) sur un seul substrat semi-conducteur (200), ladite résistance rétroactive (201) générant une tension rétroactive en divisant la tension de sortie de l’alimentation électrique à commutation (ou la tension induite apparaissant à travers un enroulement auxiliaire disposé du côté primaire d’un transformateur inclus dans une alimentation électrique à commutation de type à isolation), ladite unité de commande rétroactive de sortie (202) procédant à une commande rétroactive de sortie de l’alimentation électrique à commutation en fonction de la tension rétroactive. La résistance rétroactive (201) est une résistance en polysilicium dont la tension de résistance est supérieure ou égale à 100 V. Une zone à haute tension (203) dont la tension de résistance est supérieure dans la direction de l’épaisseur du substrat à celle de l’autre zone est formée dans le substrat semi-conducteur (200), et la résistance rétroactive (201) est formée sur la zone à haute tension (203). La zone à haute tension (203) est, par exemple, une zone de LDMOSFET.
(JA) 電源IC100は、スイッチング電源の制御主体となる半導体集積回路装置であり、スイッチング電源の出力電圧(または絶縁型スイッチング電源に含まれるトランスの一次側に設けられた補助巻線に現れる誘起電圧)を分圧して帰還電圧を生成する帰還抵抗201と、帰還電圧に応じてスイッチング電源の出力帰還制御を行う出力帰還制御部202と、を単一の半導体基板200に集積化して成る。帰還抵抗201は、100V以上の耐圧を持つポリシリコン抵抗である。半導体基板200には、その他の領域よりも基板厚さ方向の耐圧が高い高耐圧領域203が形成されており、帰還抵抗201は、高耐圧領域203上に形成されている。高耐圧領域203は、例えば、LDMOSFET領域である。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)