Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019065020) FILM BARRIÈRE AUX GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/065020 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031245
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 23.08.2018
CIB :
B32B 9/00 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
9
Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes B32B11/-B32B29/155
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
42
Siliciures
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
望月 佳彦 MOCHIZUKI Yoshihiko; JP
Mandataire :
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18693027.09.2017JP
Titre (EN) GAS BARRIER FILM
(FR) FILM BARRIÈRE AUX GAZ
(JA) ガスバリアフィルム
Abrégé :
(EN) The present invention addresses the problem of providing a gas barrier film having excellent bending resistance, transparency, productivity and the like and also having sufficient gas barrier performance and high-temperature/high-humidity resistance. The gas barrier film has at least one set of a combination of an inorganic layer and a mixed layer, wherein the inorganic layer contains silicon nitride and has a thickness of 2 to 15 nm, the mixed layer contains the component for the inorganic layer and also contains a component for a layer corresponding to a surface on which the inorganic layer is formed, and has a thickness of 2 to 25 nm, and the N/Si atom ratio in the inorganic layer is 0.7 to 0.97.
(FR) La présente invention consiste à fournir un film barrière aux gaz comprenant une résistance à la flexion, une transparence, une productivité et similaires excellentes, et comprenant également une efficacité de barrière aux gaz et une résistance aux températures élevées/à l'humidité élevée suffisantes. Le film barrière aux gaz comprend au moins un ensemble d'une association d'une couche inorganique et d'une couche mixte, la couche inorganique contenant du nitrure de silicium et comprenant une épaisseur de 2 à 15 nm, la couche mixte contenant le constituant destiné à la couche inorganique et contenant également un constituant destiné à une couche correspondant à une surface sur laquelle la couche inorganique est formée, et comprenant une épaisseur de 2 à 25 nm, et le rapport atomique N/Si dans la couche inorganique étant de 0,7 à 0,97.
(JA) 耐屈曲性、透明性および生産性等に優れ、さらに、十分なガスバリア性および高温高湿耐性も有するガスバリアフィルムの提供を課題とする。ガスバリアフィルムは、窒化ケイ素を含有し、厚さが2~15nmである無機層と、無機層の成分および無機層の形成面になる層の成分を含有し、厚さが2~25nmである混合層との組み合わせを、少なくとも1組、有し、無機層のN/Si原子比が0.7~0.97である。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)