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1. (WO2019065017) COMPOSITION DE RÉSERVE POSITIVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE STRATIFIÉ
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N° de publication : WO/2019/065017 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/031212
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 23.08.2018
CIB :
G03F 7/039 (2006.01) ,C08F 212/04 (2006.01) ,C08F 220/22 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/38 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
212
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et l'un au moins étant terminé par un noyau carbocyclique aromatique
02
Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé
04
contenant un cycle
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
22
Esters contenant un halogène
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
38
Traitement avant le dépouillement selon l'image, p.ex. préchauffage
Déposants :
日本ゼオン株式会社 ZEON CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番2号 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008246, JP
Inventeurs :
星野 学 HOSHINO Manabu; JP
Mandataire :
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-19162029.09.2017JP
Titre (EN) POSITIVE RESIST COMPOSITION, RESIST FILM FORMATION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE POSITIVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE STRATIFIÉ
(JA) ポジ型レジスト組成物、レジスト膜形成方法、および積層体の製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are a positive resist composition, etc., said positive resist composition being capable of improving the adhesiveness of a resist film, which is formed via a prebake step performed at a broader range of heating temperatures over a broader range of heating times (heating temperatures in a range at the lower temperature side), to a workpiece and reducing the molecular weight change in a polymer in the resist film before and after the prebake step. The positive resist composition according to the present invention comprises a polymer and a solvent, wherein the polymer comprises monomer unit (A) represented by general formula (I) and monomer unit (B) represented by general formula (II), and the solvent is at least one member selected from the group consisting of isoamyl acetate, n-butyl formate, isobutyl formate, n-amyl formate and isoamyl formate.
(FR) L'invention concerne une composition de réserve positive, etc., ladite composition de réserve positive permettant d'améliorer l'adhésivité d'un film de réserve qui est formé par l'intermédiaire d'une étape de pré-cuisson appliquée sur une pièce à une plage plus étendue de températures de chauffage sur une plage plus étendue de temps de chauffage (températures de chauffage dans une plage au niveau du côté de température inférieure), et permettant de réduire le changement de masse moléculaire dans un polymère dans le film de réserve avant et après l'étape de pré-cuisson. La composition de réserve positive selon la présente invention comprend un polymère et un solvant, le polymère comprenant un motif monomère (A) représenté par la formule générale (I) et un motif monomère (B) représenté par la formule générale (II), et le solvant étant au moins un élément choisi dans le groupe constitué par l'acétate d'isoamyle, le formiate de n-butyle, le formiate d'isobutyle, le formiate de n-amyle et le formiate d'isoamyle.
(JA) より幅広い範囲のプリベーク工程における加熱温度および加熱時間(より低温側の範囲の加熱温度)で、プリベーク工程を経て形成されたレジスト膜と被加工物との密着性を向上させることができると共に、プリベーク工程前後のレジスト膜における重合体の分子量の変化を低減することができるポジ型レジスト組成物等を提供する。本発明のポジ型レジスト組成物は、重合体と溶剤とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記重合体は、下記一般式(I)で表される単量体単位(A)と、下記一般式(II)で表される単量体単位(B)とを有し、前記溶剤は、酢酸イソアミル、ギ酸n-ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸n-アミル、およびギ酸イソアミルからなる群より選択される少なくとも1種である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)