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1. (WO2019064970) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ D'IMPLANTATION IONIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, FILM DE RÉSERVE MULTICOUCHE, ET COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE OU RADIOSENSIBLE ACTIVE
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N° de publication : WO/2019/064970 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/030171
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 13.08.2018
CIB :
G03F 7/095 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
095
ayant plus d'une couche photosensible
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
西田 陽一 NISHIDA Yoichi; JP
東 耕平 HIGASHI Kohei; JP
畠山 直也 HATAKEYAMA Naoya; JP
Mandataire :
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-19025829.09.2017JP
Titre (EN) PATTERN FORMING METHOD, ION IMPLANTATION METHOD, METHOD FOR PRODUCING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, MULTILAYER RESIST FILM, AND ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ D'IMPLANTATION IONIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, FILM DE RÉSERVE MULTICOUCHE, ET COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE OU RADIOSENSIBLE ACTIVE
(JA) パターン形成方法、イオン注入方法、固体撮像素子の製造方法、多層レジスト膜、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
Abrégé :
(EN) Provided is a pattern forming method which is capable of forming a pattern that has excellent resolution, while exhibiting excellent shielding performance during ion implantation. Also provided are an ion implantation method and a method for producing a solid-state imaging element, each of which uses the above-described pattern forming method. Also provided are a multilayer resist film and an active light sensitive or radiation sensitive resin composition, each of which is used in the above-described pattern forming method. This pattern forming method comprises: a step for forming, on a substrate, a multilayer resist film which comprises a first resist film having a film thickness of 5 μm or more and a second resist film that is arranged on the first resist film and has a higher film density than the first resist film; a light exposure step for exposing the multilayer resist film to light; and a development step for developing the light-exposed multilayer resist film.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de motif qui est capable de former un motif qui présente une excellente résolution, tout en présentant une excellente performance de blindage pendant l'implantation ionique. L'invention concerne également un procédé d'implantation ionique et un procédé de production d'un élément d'imagerie à semi-conducteur, dont chacun utilise le procédé de formation de motif décrit ci-dessus. L'invention concerne également un film de réserve multicouche et une composition de résine photosensible ou radiosensible active, dont chacun est utilisée dans le procédé de formation de motif décrit ci-dessus. Ce procédé de formation de motif comprend : une étape de formation, sur un substrat, d'un film de réserve multicouche qui comprend un premier film de réserve ayant une épaisseur de film de 5 µm ou plus et un second film de réserve qui est disposé sur le premier film de réserve et qui présente une densité de film supérieure à celle du premier film de réserve ; une étape d'exposition à la lumière pour exposer le film de réserve multicouche à la lumière ; et une étape de développement pour développer le film de réserve multicouche exposé à la lumière.
(JA) 解像性に優れ、且つ、イオン注入時の遮蔽性能に優れたパターンを形成できるパターン形成方法を提供する。また、上記パターン形成方法を用いたイオン注入方法、及び固体撮像素子の製造方法を提供する。また、上記パターン形成方法に用いられる多層レジスト膜、及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。パターン形成方法は、基板上に、膜厚5μm以上の第1のレジスト膜と、上記第1のレジスト膜上に配置され、上記第1のレジスト膜よりも膜密度の高い第2のレジスト膜と、を含む多層レジスト膜を形成する工程と、上記多層レジスト膜を露光する露光工程と、露光された上記多層レジスト膜を現像する現像工程と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)