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1. (WO2019064961) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/064961 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/030050
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 10.08.2018
CIB :
G03F 7/004 (2006.01) ,C07D 263/56 (2006.01) ,C07D 263/57 (2006.01) ,C07D 263/60 (2006.01) ,C07D 277/62 (2006.01) ,C07D 277/66 (2006.01) ,C07D 277/84 (2006.01) ,C08F 20/10 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
263
Composés hétérocycliques contenant des cycles oxazole-1, 3 ou oxazole-1, 3 hydrogéné
52
condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
54
Benzoxazoles; Benzoxazoles hydrogénés
56
avec uniquement des atomes d'hydrogène, des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués, liés directement en position 2
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
263
Composés hétérocycliques contenant des cycles oxazole-1, 3 ou oxazole-1, 3 hydrogéné
52
condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
54
Benzoxazoles; Benzoxazoles hydrogénés
56
avec uniquement des atomes d'hydrogène, des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués, liés directement en position 2
57
Radicaux aryle ou aryle substitués
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
263
Composés hétérocycliques contenant des cycles oxazole-1, 3 ou oxazole-1, 3 hydrogéné
52
condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
60
Naphtoxazoles; Naphtoxazoles hydrogénés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
277
Composés hétérocycliques contenant des cycles thiazole-1, 3 ou thiazole-1, 3 hydrogénés
60
condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
62
Benzothiazoles
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
277
Composés hétérocycliques contenant des cycles thiazole-1, 3 ou thiazole-1, 3 hydrogénés
60
condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
62
Benzothiazoles
64
avec uniquement des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués liés en position 2
66
avec des cycles ou des systèmes cycliques aromatiques liés directement en position 2
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
277
Composés hétérocycliques contenant des cycles thiazole-1, 3 ou thiazole-1, 3 hydrogénés
60
condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
84
Naphtothiazoles
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
20
Homopolymères ou copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
丸茂 和博 MARUMO Kazuhiro; JP
丹呉 直紘 TANGO Naohiro; JP
西尾 亮 NISHIO Ryo; JP
▲高▼田 暁 TAKADA Akira; JP
Mandataire :
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-19083529.09.2017JP
Titre (EN) PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感光性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are: a photosensitive resin composition having high tolerance for focus depth in the formation of a punched pattern; a resist film which is a solidified product of the photosensitive resin composition; a method for forming a pattern using the resist film; and a method for producing an electronic device using the resist film. The photosensitive resin composition contains a resin having a constituent unit having an acid-degradable group, a photo-acid generator, a solvent and a compound represented by formula D. In formula D, XD represents an O atom or an S atom; R1D represents a hydrogen atom, a hydrocarbon group, an acyl group, an acyloxy group or an alkoxycarbonyl group; R2D represents a substituent; nD represents an integer of 0 to 4 inclusive; and at least two R2D's may be bound to each other to form a ring.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine photosensible ayant une tolérance élevée à la profondeur de focalisation dans la formation d'un motif perforé ; un film de réserve qui est un produit solidifié de la composition de résine photosensible ; un procédé de formation d'un motif à l'aide du film de réserve ; et un procédé de production d'un dispositif électronique à l'aide du film de réserve. La composition de résine photosensible contient une résine présentant un motif constitutif ayant un groupe dégradable par un acide, un générateur de photo-acide, un solvant et un composé représenté par la formule D. Dans la formule D, XD représente un atome O ou un atome S ; R1D représente un atome d'hydrogène, un groupe hydrocarboné, un groupe acyle, un groupe acyloxy ou un groupe alcoxycarbonyle ; R2D représente un substituant ; nD représente un nombre entier allant de 0 à 4 inclus ; et au moins deux R2D peuvent être liés l'un à l'autre afin de former un cycle.
(JA) 抜きパターンの形成時における焦点深度の許容度が大きい感光性樹脂組成物、上記感光性樹脂組成物の固化物であるレジスト膜、上記レジスト膜によるパターン形成方法、及び、上記レジスト膜による電子デバイスの製造方法を提供する。感光性樹脂組成物は、酸分解性基を有する構成単位を有する樹脂、光酸発生剤、溶剤、及び、式Dで表される化合物を含む。式D中、XはO原子又はS原子を表し、R1Dは水素原子、炭化水素基、アシル基、アシルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表し、R2Dは、置換基を表し、nDは0以上4以下の整数を表し、2以上のR2Dが結合して環を形成していてもよい。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)