Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019064874) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/064874 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028189
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.07.2018
CIB :
H02M 1/08 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
08
Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
Déposants :
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
Inventeurs :
難波 明博 NAMBA Akihiro; JP
平尾 高志 HIRAO Takashi; JP
大西 正己 OONISHI Masami; JP
Mandataire :
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18940429.09.2017JP
Titre (EN) POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力変換装置
Abrégé :
(EN) The present invention suppresses a size increase of a control signal substrate, while suppressing current unbalance of control signals to be transmitted to power semiconductors. A power conversion device relating to the present invention is provided with: a first power semiconductor element; a second power semiconductor element; and a circuit board having a circuit for transmitting drive signals of the first power semiconductor element and the second power semiconductor element. The circuit board has: first emitter wiring formed in the direction in which the first power semiconductor element and the second power semiconductor element are arrayed; and a first gate resistor, which is provided with first gate wiring that is disposed between the first power semiconductor element and the first emitter wiring, second gate wiring that is disposed between the second power semiconductor element and the emitter wiring, and third gate wiring that is disposed facing the first gate wiring and the second gate wiring by having the emitter wiring therebetween, said first gate resistor connecting the first gate wiring and the third gate wiring to each other across the first emitter wiring.
(FR) La présente invention supprime une augmentation de taille d'un substrat pour signaux de commande, tout en supprimant un déséquilibre de courant de signaux de commande devant être transmis à des semi-conducteurs de puissance. Un dispositif de conversion de puissance selon la présente invention comprend : un premier élément à semi-conducteur de puissance ; un deuxième élément à semi-conducteur de puissance ; et une carte de circuit imprimé comportant un circuit pour transmettre des signaux de pilotage du premier élément à semi-conducteur de puissance et du deuxième élément à semi-conducteur de puissance. La carte de circuit imprimé comprend : un premier câblage d'émetteur formé dans la direction dans laquelle le premier élément à semi-conducteur de puissance et le deuxième élément à semi-conducteur de puissance sont alignés ; et une première résistance de grille, qui est pourvue d'un premier câblage de grille qui est disposé entre le premier élément à semi-conducteur de puissance et le premier câblage d'émetteur, d'un deuxième câblage de grille qui est disposé entre le deuxième élément à semi-conducteur de puissance et le câblage d'émetteur, et d'un troisième câblage de grille qui est disposé en regard du premier câblage de grille et du deuxième câblage de grille en ayant le câblage d'émetteur entre eux, ladite première résistance de grille connectant le premier câblage de grille et le troisième câblage de grille l'un à l'autre d'un côté à l'autre du premier câblage d'émetteur.
(JA) 各パワー半導体に伝送する制御信号の電流アンバランスを抑制しながら制御信号基板の大型化を抑制することである。 本発明に係る電力変換装置は、第1パワー半導体素子と、第2パワー半導体素子と、前記第1パワー半導体素子及び前記第2パワー半導体素子の駆動信号を伝達する回路を有する回路基板とを備え、前記回路基板は、前記第1パワー半導体素子と前記第2パワー半導体素子の配列方向に沿って形成される第1エミッタ配線と、前記第1パワー半導体素子と前記第1エミッタ配線との間に配置される第1ゲート配線と、前記第2パワー半導体素子と前記エミッタ配線との間に配置される第2ゲート配線と、前記エミッタ配線を挟んで前記第1ゲート配線及び前記第2ゲート配線と対抗して配置される第3ゲート配線と、を備え、前記第1エミッタ配線を跨いで前記第1ゲート配線と前記第3ゲート配線を接続する第1ゲート抵抗と、を有する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)