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1. (WO2019064873) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2019/064873 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028187
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.07.2018
CIB :
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
Inventeurs :
西原 淳夫 NISHIHARA Atsuo; JP
平尾 高志 HIRAO Takashi; JP
Mandataire :
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18940229.09.2017JP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体装置
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to reduce the size of a power semiconductor device and improve the reliability thereof. A first opening size of a flow path joined to a front surface of a power module is created with a small tolerance so as to match the size of a first heat dissipation base. A second opening size of a flow path joined to a rear surface of the power module is created to be large so as to be able to absorb the tolerance of a front/rear heat dissipation base in the surface direction. In addition, an outside surface of the first heat dissipation base and an inside surface of the first opening are inserted while being substantially abutted onto each other, and a second heat dissipation base is assembled with a principal surface thereof and an outer surface of the flow path being abutted onto each other.
(FR) L'objet de la présente invention est de réduire davantage la taille d'un dispositif à semi-conducteur de puissance et d'améliorer sa fiabilité. Une première taille d'ouverture d'un trajet de circulation reliée à une surface avant d'un module d'alimentation est créée avec une faible tolérance de manière à correspondre à la taille d'une première base de dissipation de chaleur. Une seconde taille d'ouverture d'un trajet de circulation reliée à une surface arrière du module d'alimentation est créée de manière à être grande afin de pouvoir absorber la tolérance d'une base de dissipation de chaleur avant/arrière dans le sens de la surface. De plus, une surface extérieure de la première base de dissipation de chaleur et une surface intérieure de la première ouverture sont insérées tout en étant sensiblement en butée l'une sur l'autre, et une seconde base de dissipation de chaleur est assemblée, sa surface principale et une surface externe du trajet de circulation étant en butée l'une sur l'autre.
(JA) パワー半導体装置の小型化を図るとともに信頼性を向上させることである。パワーモジュールの表面に接合される流路の第1開口サイズを第1放熱ベースのサイズと合わせた小さい公差で作成し、裏面に接合される流路の第2開口サイズは表裏放熱ベースの面方向公差を吸収できるように大きく作成する。その上で第1放熱ベースの外側面と第1開口の内側面をほぼ突き当てた形で挿入し、第2放熱ベースはその主面と流路の外面を突き当てた状態で組み立てる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)