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1. (WO2019064831) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE L'UTILISANT
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N° de publication : WO/2019/064831 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/026642
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 17.07.2018
CIB :
H01L 23/58 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 1/00 (2007.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
Déposants :
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
Inventeurs :
楠川 順平 KUSUKAWA Junpei; JP
千田 忠彦 CHIDA Tadahiko; JP
Mandataire :
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18940529.09.2017JP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE USING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE L'UTILISANT
(JA) パワー半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
Abrégé :
(EN) The objective of the invention is to prevent a drop in reliability due to detachment of an insulation layer from another member in a power semiconductor device. This power semiconductor device comprises a power semiconductor element, a conductor part transmitting a current to the power semiconductor element, an insulation layer in contact with the surface of the conductor part on the opposite side from the side on which the power semiconductor element is disposed, and a metallic heat dissipation part facing the conductor part, with the insulation layer therebetween. The insulation layer has an insulation section and a conductor layer that is sandwiched by the conductor part and the metallic heat dissipation part through the insulation part, and also has an output terminal connected to the conductor layer and outputting different signals according to the contact state of the insulation part.
(FR) L'objectif de l'invention est d'empêcher une chute de fiabilité due au détachement d'une couche d'isolation d'un autre élément dans un dispositif semi-conducteur de puissance. Ce dispositif semi-conducteur de puissance comprend un élément semi-conducteur de puissance, une partie conductrice transmettant un courant à l'élément semi-conducteur de puissance, une couche d'isolation en contact avec la surface de la partie conductrice sur le côté opposé à partir du côté sur lequel l'élément semi-conducteur de puissance est disposé, et une partie de dissipation de chaleur métallique faisant face à la partie conductrice, la couche d'isolation étant entre celles-ci. La couche d'isolation a une section d'isolation et une couche conductrice qui est prise en sandwich par la partie conductrice et la partie de dissipation de chaleur métallique à travers la partie d'isolation, et a également une borne de sortie connectée à la couche conductrice et émettant différents signaux en fonction de l'état de contact de la partie d'isolation.
(JA) パワー半導体装置の絶縁層と他の部材が剥離することによる信頼性低下を抑制することである。 本発明に係るパワー半導体装置は、パワー半導体素子と、当該パワー半導体素子に電流を伝達する導体部と、前記パワー半導体素子が配置された側とは反対側の前記導体部の面に接触する絶縁層と、前記絶縁層を挟んで前記導体部と対向する金属製放熱部と、を備え、前記絶縁層は、絶縁部と、当該絶縁部を介して前記導体部と前記金属製放熱部に挟まれる導体層とを有し、前記導体層に接続されかつ当該絶縁部の接触状態に応じて異なる信号を出力する出力端子を有する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)