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1. (WO2019064783) SUBSTRAT DE BASE, ÉLÉMENT FONCTIONNEL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR SUBSTRAT DE BASE
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N° de publication : WO/2019/064783 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/025154
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 03.07.2018
CIB :
C30B 29/38 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38
Nitrures
Déposants :
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
Inventeurs :
坂井 正宏 SAKAI Masahiro; JP
大上 翔平 OUE Shohei; JP
後藤 万佐司 GOTO Masashi; JP
吉野 隆史 YOSHINO Takashi; JP
Mandataire :
細田 益稔 HOSODA Masutoshi; JP
青木 純雄 AOKI Sumio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-18634027.09.2017JP
Titre (EN) BASE SUBSTRATE, FUNCTIONAL ELEMENT, AND PRODUCTION METHOD FOR BASE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE BASE, ÉLÉMENT FONCTIONNEL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR SUBSTRAT DE BASE
(JA) 下地基板、機能素子および下地基板の製造方法
Abrégé :
(EN) A base substrate 6 that comprises: a support substrate 1; and a base crystal layer 3 that is provided upon a main surface 1a of the support substrate 1, comprises crystals of a nitride of a group 13 element, and has a crystal growth surface 3a. The base crystal layer 3 comprises a bulge 5. Between the bulge 5 and the support substrate 1 is/are the product of a reaction between the material of the support substrate 1 and the crystals of a nitride of a group 13 element, a group 13 element, and/or voids.
(FR) L'invention concerne un substrat de base (6) qui comprend : un substrat de support (1) ; et une couche cristalline de base (3) qui est disposée sur une surface principale (1a) du substrat de support (1), comprend des cristaux d'un nitrure d'un élément du groupe 13, et possède une surface (3a) de croissance cristalline. La couche cristalline de base (3) comprend un renflement (5). Entre le renflement (5) et le substrat de support (1) se trouve(nt) le produit d'une réaction entre le matériau du substrat de support (1) et les cristaux d'un nitrure d'un élément du groupe 13, un élément du groupe 13 et/ou des vides.
(JA) 下地基板6は、支持基板1、および支持基板1の主面1a上に設けられ、13族元素窒化物結晶からなり、結晶育成面3aを有する下地結晶層3を備える。下地結晶層3が隆起部5を備えている。隆起部5と支持基板1との間に、支持基板1の材質と13族元素窒化物結晶との反応物、13族金属および/またはボイドが存在する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)