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1. (WO2019064524) SOLUTION DE POLISSAGE, ENSEMBLE POUR SOLUTION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
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N° de publication : WO/2019/064524 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035588
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
Inventeurs :
金丸 真美子 KANAMARU Mamiko; JP
山村 奈央 YAMAMURA Nao; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori; JP
平野 裕之 HIRANO Hiroyuki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) POLISHING SOLUTION, POLISHING SOLUTION SET, AND POLISHING METHOD
(FR) SOLUTION DE POLISSAGE, ENSEMBLE POUR SOLUTION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
(JA) 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
Abrégé :
(EN) A polishing solution containing abrasive grains, a copolymer and a liquid medium, wherein the copolymer contains a structural unit derived from at least one styrene compound selected from the group consisting of styrene and a styrene derivative and a structural unit derived from at least one compound selected from the group consisting of acrylic acid and maleic acid, and the content ratio of the structural unit derived from the styrene compound in the copolymer is 15 mol% or more.
(FR) L'invention concerne une solution de polissage contenant des grains abrasifs, un copolymère et un milieu liquide, le copolymère contenant un motif de structure issu d'au moins un composé du styrène choisi dans le groupe constitué par le styrène et un dérivé du styrène et un motif de structure issu d'au moins un composé choisi dans le groupe constitué par l'acide acrylique et l'acide maléique et le rapport de la teneur du motif de structure issu du composé du styrène dans le copolymère étant supérieure ou égale à 15 % en moles.
(JA) 砥粒と、共重合体と、液状媒体と、を含有し、前記共重合体が、スチレン及びスチレン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種のスチレン化合物に由来する構造単位と、アクリル酸及びマレイン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種に由来する構造単位とを有し、前記共重合体において前記スチレン化合物に由来する構造単位の比率が15mol%以上である、研磨液。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)