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1. (WO2019064519) APPAREIL DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
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N° de publication : WO/2019/064519 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035576
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
Déposants :
株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南二丁目15番3号 15-3, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1086290, JP
Inventeurs :
佐藤 真路 SATO, Shinji; JP
Mandataire :
立石 篤司 TATEISHI, Atsuji; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTRON BEAM APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
(JA) 電子ビーム装置及びデバイス製造方法
Abrégé :
(EN) An exposure device (100) comprises: a light optical system (80i); an electron beam optical system (70i) that makes electrons into an electron beam and bombards a target (W) therewith, said electrons being produced from a photoelectric element (54i) due to irradiation with at least one light beam from the light optical system; a housing (19) that has formed, in the interior thereof, a vacuum space (34) in which an electron emission surface of the photoelectric element (54i) is positioned; a frame (17) that supports at least one section of the light optical system; and a body frame (101) that supports the frame (17).
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'exposition (100) qui comprend : un système optique lumineux (80i) ; un système optique de faisceau d'électrons (70i) qui transforme des électrons en un faisceau d'électrons et bombarde une cible (W) avec ce dernier, lesdits électrons étant produits à partir d'un élément photoélectrique (54i) suite à une exposition à au moins un faisceau lumineux provenant du système optique lumineux ; un boîtier (19) à l'intérieur duquel est formé un espace sous vide (34) dans lequel une surface d'émission d'électrons de l'élément photoélectrique (54i) est positionnée ; un cadre (17) qui soutient au moins une partie du système optique lumineux ; et un cadre de corps (101) qui soutient le cadre (17).
(JA) 露光装置(100)は、光光学系(80)と、光光学系からの少なくとも1つの光ビームの照射により光電素子(54)から発生する電子を電子ビームとしてターゲット(W)に照射する電子ビーム光学系(70)と、光電素子(54)の電子放出面が配置される真空空間(34)が内部に形成される筐体(19)と、光光学系の少なくとも一部を支持するフレーム(17)と、フレーム(17)を支持するボディフレーム(101)と、を備える。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)