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1. (WO2019064516) APPAREIL DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/064516 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035568
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01J 37/305 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30
Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
305
pour couler, fondre, évaporer ou décaper
Déposants :
株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南二丁目15番3号 15-3, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1086290, JP
Inventeurs :
佐藤 真路 SATO, Shinji; JP
Mandataire :
立石 篤司 TATEISHI, Atsuji; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTRON BEAM APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電子ビーム装置及びデバイス製造方法
Abrégé :
(EN) An exposure device (1000) comprises: a light optical system (180i); a housing (19) that has formed, in the interior thereof, a vacuum space (34) in which an electron emission surface of a photoelectric element (54i) is positioned; a frame (17) that supports at least one section of the light optical system; an electron beam optical system (70i) that makes electrons into an electron beam and bombards a target (W) therewith, said electrons being produced from the photoelectric element (54i) due to irradiation with at least one light beam from the light optical system; and an adjustment apparatus that can adjust a relative positional relationship of the housing (19) and the frame (17).
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'exposition (1000) comprenant : un système lumineux optique (180i) ; un boîtier (19) dans lequel est formé un espace sous vide (34) dans lequel une surface d'émission d'électrons d'un élément photoélectrique (54i) est positionnée ; un cadre (17) qui soutient au moins une partie du système lumineux optique ; un système optique à faisceau d'électrons (70i) qui transforme des électrons en un faisceau d'électrons et bombarde une cible (W) à l'aide de ce dernier, lesdits électrons étant produits à partir de l'élément photoélectrique (54i) en raison de l'exposition à au moins un faisceau lumineux provenant du système lumineux optique ; et un appareil de réglage qui peut ajuster une relation de position relative du boîtier (19) et du cadre (17).
(JA) 露光装置(1000)は、光光学系(180)と、光電素子(54)の電子放出面が配置される真空空間(34)が内部に形成される筐体(19)と、光光学系の少なくとも一部を支持するフレーム(17)と、光光学系からの少なくとも1つの光ビームの照射により光電素子(54)から発生する電子を電子ビームとしてターゲット(W)に照射する電子ビーム光学系(70)と、筐体(19)とフレーム(17)との相対的な位置関係を調整可能な調整装置と、を備える。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)