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1. (WO2019064507) APPAREIL À FAISCEAU D'ÉLECTRONS, PROCÉDÉ D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
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N° de publication : WO/2019/064507 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035533
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
Déposants :
株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南二丁目15番3号 15-3, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1086290, JP
Inventeurs :
佐藤 真路 SATO, Shinji; JP
柴崎 祐一 SHIBAZAKI, Yuichi; JP
Mandataire :
立石 篤司 TATEISHI, Atsuji; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTRON BEAM APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL À FAISCEAU D'ÉLECTRONS, PROCÉDÉ D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
(JA) 電子ビーム装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
Abrégé :
(EN) An electron beam apparatus comprises: an optical device (184) that can supply a plurality of light beams; a condensing member (187) that condenses the plurality of light beams from a plurality of locations of the optical device to a first location of a photoelectric element; and an electron beam optical system (70) that makes electrons emitted from the photoelectric element (54) into a plurality of electron beams and uses these to bombard a target, wherein the intensity of the light beam with which the first location is irradiated is variable.
(FR) La présente invention concerne un appareil à faisceau d'électrons comprenant : un dispositif optique (184) qui peut fournir une pluralité de faisceaux lumineux ; un élément de condensation (187) qui condense la pluralité de faisceaux lumineux depuis une pluralité d'emplacements du dispositif optique vers un premier emplacement d'un élément photoélectrique ; et un système optique à faisceau d'électrons (70) qui forme une pluralité de faisceaux d'électrons à partir des électrons émis depuis l'élément photoélectrique (54) et bombarde une cible à l'aide desdits faisceaux d'électrons, l'intensité du faisceau lumineux à laquelle est exposé le premier emplacement étant variable.
(JA) 電子ビーム装置は、複数の光ビームを提供可能な光学デバイス(184)と、光学デバイスの複数位置からの複数の光ビームを光電素子の第1位置に集光する集光部材(187)と、光電素子(54)から放出される電子を複数の電子ビームとしてターゲットに照射する電子ビーム光学系(70)と、を備え、前記第1位置に照射される光ビームの強度は変更可能である。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)