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1. (WO2019064502) DISPOSITIF À FAISCEAU D'ÉLECTRONS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
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N° de publication : WO/2019/064502 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035521
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南二丁目15番3号 15-3, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1086290, JP
Inventeurs :
長谷川 啓佑 HASEGAWA Keisuke; JP
Mandataire :
山口 孝雄 YAMAGUCHI Takao; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTRON BEAM DEVICE AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU D'ÉLECTRONS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
(JA) 電子ビーム装置及びデバイス製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides an electron beam device that is capable of maximally suppressing the generation of useless electrons that do not contribute to the treatment of a target. This electron beam device irradiates a photoelectric element with light and irradiates a target with an electron beam generated by the photoelectric element. The electron beam device is provided with: an illumination optical system that illuminates a first surface; a pattern generator that has a plurality of reflection elements disposed on the first surface and generates a plurality of light beams with the light from the illumination optical system; and a projection optical system that is optically conjugated with the first surface and a photoelectric conversion surface of the photoelectric element and projects the plurality of light beams from the pattern generator to the photoelectric conversion surface. The principal optical line on the pattern generator side of the projection optical system is inclined with respect to the normal line of the first surface.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à faisceau d'électrons qui est capable de supprimer au maximum la génération d'électrons inutiles qui ne contribuent pas au traitement d'une cible. Ce dispositif à faisceau d'électrons irradie un élément photoélectrique avec de la lumière et irradie une cible avec un faisceau d'électrons généré par l'élément photoélectrique. Le dispositif à faisceau d'électrons comprend : un système optique d'éclairage qui éclaire une première surface ; un générateur de motif qui possède une pluralité d'éléments réfléchissants disposés sur la première surface et qui génère une pluralité de faisceaux lumineux avec la lumière provenant du système optique d'éclairage ; et un système optique de projection qui est optiquement conjugué avec la première surface et avec une surface de conversion photoélectrique de l'élément photoélectrique et qui projette la pluralité de faisceaux lumineux à partir du générateur de motif vers la surface de conversion photoélectrique. La ligne optique principale sur le côté générateur de motif du système optique de projection est inclinée par rapport à la ligne normale de la première surface.
(JA) ターゲットの処理に寄与しない無駄電子の発生を極力抑制することが可能な電子ビーム装置を提供する。光電素子に光を照射し、光電素子から発生する電子ビームをターゲットに照射する電子ビーム装置。第1面を照明する照明光学系と、第1面に配置された複数の反射素子を有し、照明光学系からの光で複数の光ビームを発生するパターンジェネレータと、第1面と光電素子の光電変換面とを光学的に共役にしてパターンジェネレータからの複数の光ビームを光電変換面に投影する投影光学系と、を備えている。投影光学系のパターンジェネレータ側の主光線は、第1面の法線に対して傾いている。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)