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1. (WO2019064452) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE PARTICULES DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR, APPAREIL DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ PRODUCTION DE FILM DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
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N° de publication : WO/2019/064452 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035297
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/00 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01) ,H05B 33/14 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
56
Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
10
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources de lumière électroluminescentes
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
12
Sources de lumière avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
14
caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
西口 昌男 NISHIGUCHI, Masao; --
Mandataire :
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) VAPOR DEPOSITION PARTICLE EMITTING DEVICE, VAPOR DEPOSITION APPARATUS, VAPOR DEPOSITION FILM PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE PARTICULES DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR, APPAREIL DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ PRODUCTION DE FILM DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着膜製造方法
Abrégé :
(EN) A vapor deposition particle emitting device (1) is equipped with a second vapor deposition source (20) and a first vapor deposition source (10) and a third vapor deposition source (30) sandwiching the second vapor deposition source in the Y axis direction. In the first vapor deposition source and the third vapor deposition source, a plurality of nozzles (12, 31) inclined toward the second vapor deposition source are arranged in the X axis direction. In the second vapor deposition source, a plurality of nozzles (23) inclined toward the first vapor deposition source and a plurality of nozzles (22) inclined toward the third vapor deposition source are arranged in the X axis direction.
(FR) Cette invention concerne un dispositif d'émission de particules de dépôt en phase vapeur (1), équipé d'une deuxième source de dépôt en phase vapeur (20) et d'une première source de dépôt en phase vapeur (10) et d'une troisième source de dépôt en phase vapeur (30) prenant en sandwich la deuxième source de dépôt en phase vapeur dans la direction de l'axe Y. Dans la première source de dépôt en phase vapeur et la troisième source de dépôt en phase vapeur, une pluralité de buses (12, 31) inclinées vers la deuxième source de dépôt en phase vapeur sont agencées dans la direction de l'axe X. Dans la deuxième source de dépôt en phase vapeur, une pluralité de buses (23) inclinées vers la première source de dépôt en phase vapeur et une pluralité de buses (22) inclinées vers la troisième source de dépôt en phase vapeur sont agencées dans la direction de l'axe X.
(JA) 蒸着粒子射出装置(1)は、第2蒸着源(20)と、Y軸方向に第2蒸着源を挟む第1蒸着源(10)と第3蒸着源(30)とを備えている。第1蒸着源および第3蒸着源には、第2蒸着源に向かって傾斜する複数のノズル(12・31)がX軸方向に配列されている。第2蒸着源には、第1蒸着源に向かって傾斜する複数のノズル(23)と、第3蒸着源に向かって傾斜する複数のノズル(22)とがX軸方向に配列されている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)