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1. (WO2019064437) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2019/064437 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035250
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H05B 33/26 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01) ,H05B 33/06 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
12
Sources de lumière avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
26
caractérisées par la composition ou la disposition du matériau conducteur utilisé comme électrode
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
02
Détails
06
Extrémités d'électrode
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
10
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources de lumière électroluminescentes
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
岡部 達 OKABE Tohru; --
郡司 遼佑 GUNJI Ryosuke; --
谷山 博己 TANIYAMA Hiroki; --
齋田 信介 SAIDA Shinsuke; --
神村 浩治 JINMURA Hiroharu; --
仲田 芳浩 NAKADA Yoshihiro; --
井上 彬 INOUE Akira; --
Mandataire :
特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS; 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番1号 新ダイビル23階 Shin-Daibiru Bldg. 23F, 2-1, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置及びその製造方法
Abrégé :
(EN) A wiring line (21a) is provided on a TFT layer (20). The wiring line (21a) is formed by the same material and on the same layer as a reflection electrode (21) provided with: a plurality of metallic conductive layers that are made of a low-resistance metallic material; an oxide-based bottom-side transparent conductive layer that is provided to the undersurface side of an undermost metallic conductive layer located at the bottom; an oxide-based top-side transparent conductive layer that is provided to the upper surface side of an uppermost metallic conductive layer located at the top and having light reflecting characteristics; and an oxide-based intermediate transparent conductive layer that is provided between the metallic conductive layers.
(FR) Selon la présente invention, une ligne de câblage (21a) est disposée sur une couche TFT (20). La ligne de câblage (21a) est constituée du même matériau et se trouve sur la même couche qu'une électrode de réflexion (21) pourvue : d'une pluralité de couches conductrices métalliques qui sont constituées d'un matériau métallique à faible résistance ; une couche conductrice transparente côté inférieur à base d'oxyde qui est disposée sur le côté de la surface inférieure d'une couche conductrice métallique sous-jacente située au fond ; une couche conductrice transparente côté supérieur à base d'oxyde qui est disposée sur le côté de la surface supérieure d'une couche conductrice métallique supérieure située au sommet et ayant des caractéristiques de réflexion de lumière ; et une couche conductrice transparente intermédiaire à base d'oxyde qui est disposée entre les couches conductrices métalliques.
(JA) 低抵抗金属材料からなる複数の金属導電層と、最下層の最下金属導電層の下面側に設けられた酸化物系の下側透明導電層と、光反射性を有する最上層の最上金属導電層の上面側に設けられた酸化物系の上側透明導電層と、複数の金属導電層の間に設けられた酸化物系の中間透明導電層とを備えた反射電極(21)と同一層に同一材料により形成された配線(21a)がTFT層(20)上に設けられている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)