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1. (WO2019064435) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
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N° de publication : WO/2019/064435 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035242
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 21/223 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
223
en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
Déposants :
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Inventeurs :
出貝 求 DEGAI, Motomu; JP
芦原 洋司 ASHIHARA, Hiroshi; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
Abrégé :
(EN) [Problem] To suppress the diffusion of impurities from a silicon film to which the impurities are added, to a metal film formed thereon. [Solution] The present invention includes performing: a step for supplying a dopant-containing gas which includes a dopant to a substrate on which a metal film and a film other than the metal film are formed, on a film to which the dopant has been added; and a step for removing the dopant-containing gas from above the substrate, wherein the dopant is selectively added to the metal film.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de supprimer la diffusion d'impuretés d'un film de silicium auquel les impuretés sont ajoutées, vers un film métallique formé sur ce dernier. La solution de l'invention comprend : une étape consistant à fournir un gaz contenant un dopant qui renferme un dopant à un substrat sur lequel sont formés un film métallique et un film autre que le film métallique, sur un film auquel le dopant a été ajouté ; et une étape d'élimination du gaz contenant un dopant sur le substrat, le dopant étant sélectivement ajouté au film métallique.
(JA) 課題:不純物を添加したシリコン膜から、その上に形成された金属膜への不純物が拡散してしまうことを抑制する。 解決手段:ドーパントが添加された膜の上に、金属膜と、当該金属膜以外の膜が形成された基板に対して、前記ドーパントを含むドーパント含有ガスを供給する工程と、前記基板上から前記ドーパント含有ガスを除去する工程と、を行い、前記金属膜に前記ドーパントを選択添加する。
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Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)